公开(公告)号：CN116903776A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310864628.5

申请日：2023-07-14

Applicant: 福建师范大学

Inventor： 谭小地 ,  吴俊辉 ,  林枭 ,  李庆东

IPC: C08F220/14 ,  C08F222/14 ,  C08F2/44 ,  C08K5/08 ,  G11B7/0065 ,  G11B7/245 ,  G11B7/26

Abstract: 本发明涉及全息存储材料技术领域，具体涉及一种新式全息存储材料及其制备方法。该材料的原料包括PETA、MMA、PQ和AIBN。该材料通过引入树状分子材料PETA进行改性，改性后材料相较于传统的PQ/PMMA材料，不仅具备无气泡特性且该材料体系的感光灵敏度得到了提升，能显著缩短材料的响应时间，PETA的引入使得该体系材料的光栅衍射效率均匀性和全息性能有了一定的提升。

公开(公告)号：CN116903777A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310865530.1

申请日：2023-07-14

Applicant: 福建师范大学

Inventor： 谭小地 ,  李庆东 ,  林枭 ,  吴俊辉

IPC: C08F220/14 ,  C08F226/08 ,  C08F2/44 ,  C08K5/08 ,  G11B7/245

Abstract: 本发明涉及全息存储材料技术领域，具体涉及NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法。该NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料，原料包括NVP、MMA、PQ和AIBN。在PQ\PMMA中掺杂NVP，以实现光致聚合物材料作为全息存储的优良介质。该材料制备工艺简单，价格低廉，有较高的衍射效率和感光灵敏度，相较于PQ\PMMA可以更好地用于全息成像及数据存储领域。