公开(公告)号：CN113387335B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110843491.6

申请日：2021-07-26

Applicant: 福建工程学院

Inventor： 陈洪祥 ,  黄舒贤 ,  李升 ,  戴品强 ,  林智杰 ,  洪春福 ,  常发

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一系列多层高熵结构化合物及其制备方法。所述的多层高熵结构化合物为一系列的过渡金属层状化合物，分子式表达为(HEMB)x(HEMA)X2，HEM为高熵金属元素组合，由四种或四种以上金属元素组成，HEMA、HEMB分别为两组高熵元素，x为HEMB高熵金属元素的插层量，元素总量为x，0＜x≤1，X为S、Se、Te元素中的一种或多种的组合。本发明在本就是在MX2层状结构的M位由高熵金属元素组合HEMA替换的基础上，在层与层之间再引入一层高熵金属原子HEMB，同时可对其插层量进行调控，得到具有多层高熵结构的一系列化合物，该系列材料在能源转换、能源存储等应用领域具有巨大潜力。本发明多层高熵的结构设计理念为人们探索新高熵化合物提供了新的思路。

公开(公告)号：CN113387335A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110843491.6

申请日：2021-07-26

Applicant: 福建工程学院

Inventor： 陈洪祥 ,  黄舒贤 ,  李升 ,  戴品强 ,  林智杰 ,  洪春福 ,  常发

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一系列多层高熵结构化合物及其制备方法。所述的多层高熵结构化合物为一系列的过渡金属层状化合物，分子式表达为(HEMB)x(HEMA)X2，HEM为高熵金属元素组合，由四种或四种以上金属元素组成，HEMA、HEMB分别为两组高熵元素，x为HEMB高熵金属元素的插层量，元素总量为x，0＜x≤1，X为S、Se、Te元素中的一种或多种的组合。本发明在本就是在MX2层状结构的M位由高熵金属元素组合HEMA替换的基础上，在层与层之间再引入一层高熵金属原子HEMB，同时可对其插层量进行调控，得到具有多层高熵结构的一系列化合物，该系列材料在能源转换、能源存储等应用领域具有巨大潜力。本发明多层高熵的结构设计理念为人们探索新高熵化合物提供了新的思路。