公开(公告)号：CN113871416A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111126591.3

申请日：2021-09-26

Applicant: 福建工程学院

Inventor： 张国成 ,  马超 ,  邢俊杰 ,  秦世贤 ,  陈惠鹏 ,  郭太良

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明涉及一种基于薄膜晶体管的柔性透明浮栅存储器及其制备方法，该存储器采用底栅顶接触的晶体管结构，器件自下而上依次是透明衬底和透明栅极，绝缘层、浮栅层、隧穿层、有机半导体层及透明源漏电极。透明聚合物绝缘薄膜或金属氧化物绝缘薄膜，电荷捕获层和薄的聚合物绝缘薄膜(隧穿层)以及有机半导体聚合物薄膜，最后采用喷涂的方法制备碳纳米管电极。本发明制作的柔性透明存储器件通过利用材料自身特性以及工艺改善，在实现了器件高透明率和柔性的同时，还获得了很高的存储性能；本发明制备的柔性透明浮栅存储器制备工艺简单，易操作，投入成本低，且得到的存储器性能优异，具有成为柔性透明、高性能有机电子的潜力。