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公开(公告)号：CN110838425B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201911245525.0
申请日：2019-12-07
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明涉及一种金属钛修饰的三维碳阵列阴极结构及其制备方法，该阴极结构包括高导电的三维碳阵列，所述三维碳阵列表面沉积有金属钛纳米结构，形成核壳结构的钛/三维碳阵列；该阴极结构的制备方法，包括以下步骤：1）三维碳阵列制备；2）三维碳阵列表面离子刻蚀；3）在三维碳阵列上沉积金属钛层；4）金属钛/三维碳阵列真空退火。该阴极结构及其制备方法不仅有利于提高电子发射稳定性和发射电流密度，而且制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN109887816B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201910132063.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明公开了一种反射式场发射电子光源器件，其主要由透明阴极、电子发射体和非透明反射式阳极构成；其是在ITO玻璃基底上依次制作图案化的ITO电极、磁控溅射AZO种子层、水热生长ZnO纳米棒阵列电子发射体得到生长有图案化的氧化锌纳米棒阵列阴极；在玻璃基底上通过光刻和湿化学法制作相互独立的半球型凹槽阳极单元，随后依次在半球形凹槽内喷涂沉积导电层Ag膜和电子荧光粉得到非透明反射式阳极，然后结合隔离子组装成反射式场发射电子光源器件；本发明的反射式场发射电子光源器件的电子束成像在阴极板一侧，电子反射像呈现为平面光源，其不仅具有电子束自聚焦特性，还具有电场自增强性能，且器件的阈值电压低、发光亮度高。
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公开(公告)号：CN110838425A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911245525.0
申请日：2019-12-07
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明涉及一种金属钛修饰的三维碳阵列阴极结构及其制备方法，该阴极结构包括高导电的三维碳阵列，所述三维碳阵列表面沉积有金属钛纳米结构，形成核壳结构的钛/三维碳阵列；该阴极结构的制备方法，包括以下步骤：1）三维碳阵列制备；2）三维碳阵列表面离子刻蚀；3）在三维碳阵列上沉积金属钛层；4）金属钛/三维碳阵列真空退火。该阴极结构及其制备方法不仅有利于提高电子发射稳定性和发射电流密度，而且制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN109887816A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910132063.5
申请日：2019-02-22
Applicant: 福建工程学院
Abstract: 本发明公开了一种反射式场发射电子光源器件，其主要由透明阴极、电子发射体和非透明反射式阳极构成；其是在ITO玻璃基底上依次制作图案化的ITO电极、磁控溅射AZO种子层、水热生长ZnO纳米棒阵列电子发射体得到生长有图案化的氧化锌纳米棒阵列阴极；在玻璃基底上通过光刻和湿化学法制作相互独立的半球型凹槽阳极单元，随后依次在半球形凹槽内喷涂沉积导电层Ag膜和电子荧光粉得到非透明反射式阳极，然后结合隔离子组装成反射式场发射电子光源器件；本发明的反射式场发射电子光源器件的电子束成像在阴极板一侧，电子反射像呈现为平面光源，其不仅具有电子束自聚焦特性，还具有电场自增强性能，且器件的阈值电压低、发光亮度高。
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