公开(公告)号：CN119546178A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411715585.5

申请日：2024-11-27

Applicant: 福建农林大学

Inventor： 胡启昌 ,  孔祥增 ,  杨小龙 ,  叶霖峰 ,  林珺

IPC: H10N70/20 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/08 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于铝钇氮薄膜的日盲紫外光电人工视觉突触器件及其制备方法，本方案涉及新型微纳电子材料及功能器件领域；该突触器件包括：衬底、底电极、日盲紫外光响应阻变层与顶电极；所述底电极设置于衬底上，用于引入日盲紫外光信号；日盲紫外光响应阻变层设置于底电极与顶电极之间，用于模拟突触可塑性。其中，日盲紫外光响应阻变层由具有光电导效应的铝钇氮薄膜制成，对波长为200‑280nm的日盲紫外光具有光响应；底电极为透明导电电极；电信号通过顶电极、底电极输入，日盲紫外光信号则通过透明导电底电极输入；本发明提供突触器件可在电信号以及日盲紫外光信号激励下，实现多种光电突触可塑性，在此基础上实现人工视觉功能的模拟。

公开(公告)号：CN117998979A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410090203.8

申请日：2024-01-22

Applicant: 福建农林大学

Inventor： 胡启昌 ,  林珺 ,  孔祥增

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种日盲紫外光电忆阻器件及其制备方法；该日盲紫外光电忆阻器件包括：衬底、过渡层、底电极、日盲紫外光响应阻变层与顶电极；所述过渡层设置于衬底与底电极之间，用于加强底电极与衬底的粘结性；所述日盲紫外光响应阻变层设置于底电极上，所述日盲紫外光响应阻变层对波长为200‑280nm的日盲紫外光具有光响应；所述顶电极，均匀设置于日盲紫外光响应阻变层上。在预设电激励与/或日盲紫外光激励的作用下，可实现日盲紫外光电忆阻器件的高、低阻态转变。