一种半导体制冷片性能参数测试方法

    公开(公告)号:CN112345582B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202011226700.4

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明提出一种半导体制冷片性能参数测试方法,所用的测试装置包括带第一工质入口、第一工质出口的冷腔,还包括带第二工质入口、第二工质出口的热腔;冷腔和热腔均设有保温层;冷腔和热腔之间的分隔结构处设有制冷片固定部,当半导体制冷片固定于制冷片固定部处时,冷端与冷腔腔壁接触,热端与热腔腔壁接触;当进行测试时,以流经冷腔的第一工质对制冷片冷端进行热交换,以流经热腔的第二工质对制冷片热端进行热交换,根据测得的第一工质入口与第一工质出口的第一工质温差、第二工质入口与第二工质出口的第二工质温差、第一工质流量、第二工质流量对性能参数或当前工况计算;本发明具有结构简单,数据测试方便的优点,具有良好的实际研究意义。

    一种半导体制冷片性能参数测试方法

    公开(公告)号:CN112345582A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011226700.4

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明提出一种半导体制冷片性能参数测试方法,所用的测试装置包括带第一工质入口、第一工质出口的冷腔,还包括带第二工质入口、第二工质出口的热腔;冷腔和热腔均设有保温层;冷腔和热腔之间的分隔结构处设有制冷片固定部,当半导体制冷片固定于制冷片固定部处时,冷端与冷腔腔壁接触,热端与热腔腔壁接触;当进行测试时,以流经冷腔的第一工质对制冷片冷端进行热交换,以流经热腔的第二工质对制冷片热端进行热交换,根据测得的第一工质入口与第一工质出口的第一工质温差、第二工质入口与第二工质出口的第二工质温差、第一工质流量、第二工质流量对性能参数或当前工况计算;本发明具有结构简单,数据测试方便的优点,具有良好的实际研究意义。

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