公开(公告)号：CN115602544A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211270629.9

申请日：2022-10-18

Applicant: 福州大学(CN)

Inventor： 李调阳 ,  庄毅 ,  梅佳旺 ,  王博

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及一种制备长程有序高深宽比结构及垂直型场效应晶体管的方法。该方法主要步骤有：利用丙酮、异丙醇、去离子水对长程有序多孔氧化铝模板进行清洗，利用原子层沉积技术可三维共形沉积的特点来沉积绝缘氧化物薄膜，通过设置循环数精确控制薄膜厚度，从而获得大于200:1的长程有序超高深宽比结构，此方法无需用到刻蚀技术，工艺简单，成本低。同时，基于原子层沉积技术在超高深宽比结构上沉积氧化物半导体薄膜将孔隙填充，通过刻蚀除去表面沉积的氧化物半导体薄膜，再使用物理气相沉积系统沉积一层金属层，之后采用半导体器件工艺，最终可用于制备垂直型场效应晶体管。