公开(公告)号：CN117939970A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410136385.8

申请日：2024-01-31

Applicant: 福州大学 ,  广东聚华新型显示研究院

Inventor： 杨开宇 ,  林志涵 ,  李福山 ,  胡海龙 ,  林立华

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/10 ,  H10K71/60 ,  H10K50/115 ,  H10K50/125

Abstract: 本发明涉及一种高分辨全彩量子点薄膜及其相关发光器件制备方法，高分辨全彩量子点薄膜的制备方法为：通过光刻法制备周期性像素基板单元，基板单元为三级阶梯状，再对其进行透明电极ITO溅射和空穴传输层处理；通过LB膜技术产生第一颜色单量子点薄膜，通过机器精度控制将基板单元没入，使基板单元三级台阶表面均沾有第一颜色单量子点薄膜；而后，通过溶液处理清洗最上两级台阶上的量子点薄膜；继续通过相似的操作使基板单元上面两级台阶表面分别沾有第二、第三颜色单量子点薄膜；从而得到沾染不同颜色量子点的三级台阶基板单元，实现高分辨全彩显示。再基于所述高分辨全彩量子点薄膜制备QLED。该方法操作简易，可以制备出高性能的高分辨全彩显示单元。