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公开(公告)号：CN112582160B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202011612693.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于变压器的双层屏蔽结构及其应用，所述双层屏蔽结构包括平行设置的两层金属屏蔽体，两金属屏蔽体之间设有介质层，通过改变两金属屏蔽体之间的距离、介质层的介电常数以及两金属屏蔽体的正对面积，来改变两金属屏蔽体的等效电容。将所述双层屏蔽结构设置于磁芯内部或包覆于磁芯外部，以屏蔽电磁干扰。该双层屏蔽结构可以有效减小变压器的共模噪声，减小磁性元件对大地的共模噪声及其电磁辐射特性，有效降低传导及辐射EMI噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111899976A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010881693.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 福州大学
IPC: H01F41/06 , H01F41/082 , H01F27/30 , H01F27/34
Abstract: 本发明提出变压器漏感宽范围控制方法及结构，用于绕组为分层绕制结构的变压器，所述变压器设有一个原边绕组和一个副边绕组；当所述原边绕组高度等于变压器绕组所用磁性元件的绕组窗口高度时，所述副边绕组的高度小于变压器绕组所用磁性元件的绕组窗口高度；当原边绕组高度小于磁性元件的绕组窗口高度时，副边绕组高度也小于或等于磁性元件的绕组窗口高度高度；所述控制结构为在垂直于绕组磁芯中柱的方向上的原边绕组与副边绕组之间的重叠部位，所述变压器漏感量的调节可通过调节重叠部位的长度进行调整；本发明提出的变压器绕组绕制方法由于其漏感可控范围大，很好地解决了漏感设计需求的问题，并且在平面变压器和立式变压器都能适用。
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公开(公告)号：CN111899976B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010881693.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 福州大学
IPC: H01F41/06 , H01F41/082 , H01F27/30 , H01F27/34
Abstract: 本发明提出变压器漏感宽范围控制方法及结构，用于绕组为分层绕制结构的变压器，所述变压器设有一个原边绕组和一个副边绕组；当所述原边绕组高度等于变压器绕组所用磁性元件的绕组窗口高度时，所述副边绕组的高度小于变压器绕组所用磁性元件的绕组窗口高度；当原边绕组高度小于磁性元件的绕组窗口高度时，副边绕组高度也小于或等于磁性元件的绕组窗口高度高度；所述控制结构为在垂直于绕组磁芯中柱的方向上的原边绕组与副边绕组之间的重叠部位，所述变压器漏感量的调节可通过调节重叠部位的长度进行调整；本发明提出的变压器绕组绕制方法由于其漏感可控范围大，很好地解决了漏感设计需求的问题，并且在平面变压器和立式变压器都能适用。
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公开(公告)号：CN112582160A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011612693.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于变压器的双层屏蔽结构及其应用，所述双层屏蔽结构包括平行设置的两层金属屏蔽体，两金属屏蔽体之间设有介质层，通过改变两金属屏蔽体之间的距离、介质层的介电常数以及两金属屏蔽体的正对面积，来改变两金属屏蔽体的等效电容。将所述双层屏蔽结构设置于磁芯内部或包覆于磁芯外部，以屏蔽电磁干扰。该双层屏蔽结构可以有效减小变压器的共模噪声，减小磁性元件对大地的共模噪声及其电磁辐射特性，有效降低传导及辐射EMI噪声。
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公开(公告)号：CN214588401U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202023301953.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种用于变压器的双层屏蔽结构，包括平行设置的两层金属屏蔽体，两金属屏蔽体之间设有介质层，通过改变两金属屏蔽体之间的距离、介质层的介电常数以及两金属屏蔽体的正对面积，来改变两金属屏蔽体的等效电容。将所述双层屏蔽结构设置于磁芯内部或包覆于磁芯外部，以屏蔽电磁干扰。该双层屏蔽结构可以有效减小变压器的共模噪声，减小磁性元件对大地的共模噪声及其电磁辐射特性，有效降低传导及辐射EMI噪声。
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公开(公告)号：CN212434462U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021811482.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 福州大学
IPC: H01F41/06 , H01F41/082 , H01F27/30 , H01F27/34
Abstract: 本实用新型提出变压器漏感宽范围控制结构，用于绕组为分层绕制结构的变压器，所述变压器设有一个原边绕组和一个副边绕组；当所述原边绕组高度等于变压器绕组所用磁性元件的绕组窗口高度时，所述副边绕组的高度小于变压器绕组所用磁性元件的绕组窗口高度；当原边绕组高度小于磁性元件的绕组窗口高度时，副边绕组高度也小于或等于磁性元件的绕组窗口高度高度；所述控制结构为在垂直于绕组磁芯中柱的方向上的原边绕组与副边绕组之间的重叠部位，所述变压器漏感量的调节可通过调节重叠部位的长度进行调整；本实用新型提出的变压器绕组绕制方法由于其漏感可控范围大，很好地解决了漏感设计需求的问题，并且在平面变压器和立式变压器都能适用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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