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公开(公告)号：CN101824603B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010189962.8
申请日：2010-06-02
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及气敏传感器制造技术领域，特别是一种复合薄膜气敏传感器的制作方法，其特征在于：包含以下步骤：1、对MWCNT进行酸处理，而后将MWCNT添加并分散到有机溶剂中，处理得到充分混合的悬浊液，再将其分别旋涂到射频反应磁控溅射设备的锡靶和钨靶上；2、在硅片或陶瓷管上制作传感器的加热器和叉指电极；3、使用射频反应磁控溅射技术，在叉指电极区溅射一层SnO2-MWCNT薄膜，并在SnO2-MWCNT薄膜上再溅射一层WO3-MWCNT薄膜，形成复合薄膜；4、将附着薄膜的硅片或陶瓷管在高温炉内烧结；5、将硅片或陶瓷管上的加热器与电极和传感器外引线柱之间分别焊接铂金丝。该方法制作的SnO2-WO3-MWCNT复合薄膜气敏传感器气敏性能高，使用效果好。
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公开(公告)号：CN101824603A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010189962.8
申请日：2010-06-02
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及气敏传感器制造技术领域，特别是一种复合薄膜气敏传感器的制作方法，其特征在于：包含以下步骤：1、对MWCNT进行酸处理，而后将MWCNT添加并分散到有机溶剂中，处理得到充分混合的悬浊液，再将其分别旋涂到射频反应磁控溅射设备的锡靶和钨靶上；2、在硅片或陶瓷管上制作传感器的加热器和叉指电极；3、使用射频反应磁控溅射技术，在叉指电极区溅射一层SnO2-MWCNT薄膜，并在SnO2-MWCNT薄膜上再溅射一层WO3-MWCNT薄膜，形成复合薄膜；4、将附着薄膜的硅片或陶瓷管在高温炉内烧结；5、将硅片或陶瓷管上的加热器与电极和传感器外引线柱之间分别焊接铂金丝。该方法制作的SnO2-WO3-MWCNT复合薄膜气敏传感器气敏性能高，使用效果好。
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