公开(公告)号：CN113517309B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202110747949.8

申请日：2021-07-02

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈恩果 ,  陈铭禹 ,  高方

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及一种集转移、检测和修补于一体的Micro LED的巨量转移装置及方法。所述装置，包括半球形真空腔、位于半球形真空腔开口下方且与半球形真空腔紧密连接的光滑金属平板；当转移装置与Micro LED芯片紧密接触后，通过对真空腔抽真空，在芯片上下表面形成气压差，从而将芯片吸附在金属平板上，实现巨量转移。同时通过检测金属平板上孔洞的气体流速，对转移失败的芯片单元检测并标记，以便于补偿转移失败的芯片单元。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，并且能够很灵活地适应需要转移的Micro LED的不同阵列分布，能够检测和补偿转移失败的坏点。因此，是一种操作灵活、可行性高的巨量转移方案。

公开(公告)号：CN113517309A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110747949.8

申请日：2021-07-02

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈恩果 ,  陈铭禹 ,  高方

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及一种集转移、检测和修补于一体的Micro LED的巨量转移装置及方法。所述装置，包括半球形真空腔、位于半球形真空腔开口下方且与半球形真空腔紧密连接的光滑金属平板；当转移装置与Micro LED芯片紧密接触后，通过对真空腔抽真空，在芯片上下表面形成气压差，从而将芯片吸附在金属平板上，实现巨量转移。同时通过检测金属平板上孔洞的气体流速，对转移失败的芯片单元检测并标记，以便于补偿转移失败的芯片单元。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，并且能够很灵活地适应需要转移的Micro LED的不同阵列分布，能够检测和补偿转移失败的坏点。因此，是一种操作灵活、可行性高的巨量转移方案。