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公开(公告)号：CN110880559A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911201304.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及光电发光与显示器件技术领域，具体涉及一种交流驱动的碳量子点发光器件，包括基板、阳极层、介电层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极层，所述量子点发光层的材料是碳量子点，所述阴极层和阳极层两端施加交流电，以对碳量子点发光器件进行交流驱动。该碳量子点发光器件不仅制备简单，适于规模生产，而且减少了电能损耗及设备复杂性。
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公开(公告)号：CN112625680B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011595963.2
申请日：2020-12-29
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种提升混合卤素钙钛矿稳定性的方法，其是将混合卤化铅和四正辛基溴化铵混合溶于甲苯中得到溶液A；将碳酸铯、碳酸铷溶于正辛酸中得到溶液B；将乙酸甲脒溶于正辛酸中得到溶液C；将双十二烷基二甲基溴化铵溶于甲苯中得到溶液D；再将溶液B、C混合后迅速加入溶液A中，在室温、磁力搅拌条件下加入溶液D，并加入乙酸乙酯进行萃取，最终得到所述混合卤素钙钛矿。按本发明方法进行处理，可使获得的混合卤素钙钛矿材料具有较好的稳定性和光电性能，将其应用于钙钛矿发光器件的制备，具有较高的亮度和稳定性。
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公开(公告)号：CN112625681A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011585748.4
申请日：2020-12-29
Abstract: 本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。
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公开(公告)号：CN112428646A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011430716.7
申请日：2020-12-09
IPC: B32B27/28 , B32B33/00 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B17/00 , B32B37/24 , B32B38/14 , B41M3/14
Abstract: 本发明涉及一种基于光学凸起面的可双层识别量子点防伪标签及制备方法。包括基板层，在基板层上设置的光学凸起面层和量子点发光层，以及在最上面的盖板层。通过在随机分布且密度可控的光学凸起上采用打印或是印刷工艺制备量子点发光层，通过盖板层进行封装后，利用光学颗粒的匀光能力和光学凸起面带来的空间落差，可以对同一个平面区域的不同高度采集到不同的不可复制的图案。本发明提出的可双层识别量子点防伪标签，其工艺过程简单、成本低，化学性质稳定，可适配柔性可拉伸应用，结合量子点的丰富色彩可实现多种颜色的双层递进式防伪，通过建立两套智能标签学习库，即可实现图像的识别。该量子点防伪标签的双层识别设计兼顾易检测性和防伪能力，第一层识别只需要便携式镜头配合激发光源与电子设备连接，易于日常检测；第二层识别图案精度可达到纳米级别，可以保证足够强的防伪能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114649491B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210261628.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件，包括透明导电衬底ITO以及在透明导电衬底ITO层上依次沉积的电子传输层、图案化量子点薄膜、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。本发明不仅克服了钙钛矿量子点与传统光刻工艺不兼容的缺点，还溶剂对功能层的影响，可以实现钙钛矿量子点的图案化和QLED器件制备。
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公开(公告)号：CN112625681B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011585748.4
申请日：2020-12-29
Abstract: 本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。
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公开(公告)号：CN110880557A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911199602.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/00 , G09G3/3225
Abstract: 本发明涉及一种交流驱动的无毒QLED，包括在基板上自下而上依次设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极层；还包括一个或两个介电层；当包括一个介电层时，该介电层设置于阳极层与空穴注入层之间，或者设置于电子传输层与阴极层之间；当包括两个介电层时，两个介电层分别设置于电子传输层与阴极层之间、阳极层与空穴注入层之间；所述量子点发光层采用不含重金属的无毒量子点材料。本发明具有无毒特性，对环境没有不良影响。
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公开(公告)号：CN110288900B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910570075.6
申请日：2019-06-27
Applicant: 福州大学
IPC: G09F3/02
Abstract: 本发明属于标签技术领域，具体涉及一种基于钙钛矿纳米片的防伪标签的制备方法。制作一种表面经图案化微加工处理的衬底，该处理部分的图案在日光下肉眼不可见。将钙钛矿纳米片旋涂在衬底上，使其在衬底上形成平整的薄膜。再用有机溶剂旋涂在衬底上，衬底上未经微处理的区域钙钛矿纳米片被洗掉，而微处理过的图形化区域因其表面具有一定的粗糙度从而增大了衬底的摩檫力和粘附力，因此钙钛矿纳米片没有被除去。在紫外灯的照射下，衬底上留存的钙钛矿纳米片发出荧光并形成特定图案，从而实现“防伪”的功能。
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公开(公告)号：CN112521932A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202110010439.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种有硫化硒和硫化锌外壳的磷化铟量子点、制备方法及其在白光QLED器件的应用，通过在磷化铟量子点表面包覆硫化硒和硫化锌外壳，形成了具有核壳壳结构的磷化铟量子点，该量子点的荧光发射峰在460nm‑700nm内可调。并基于该方法制备的青色和红色量子点、绿色和品红色量子点或蓝色和黄色量子点制备了白光QLED器件。本发明制备的白光QLED采用的量子点材料不含重金属，对环境比较友好，且制备工艺比较简单，只需要双色光混合就能实现白光发射，简化了以往红绿蓝三色光混合才能发射白光的复杂工艺，具有很好的应用前景。
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