一种考虑晶粒取向预测腐蚀坑形貌的模拟方法

    公开(公告)号:CN119380891A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411440447.0

    申请日:2024-10-15

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种考虑晶粒取向预测腐蚀坑形貌的模拟方法,属于金属材料计算与模拟技术领域。所述方法,包括:首先构建材料表面存在初始腐蚀坑的模型并导入材料EBSD数据,其次设置边界条件和控制方程,引入晶体取向与腐蚀电位的关系,最终模拟腐蚀过程中蚀坑界面的移动以预测蚀坑形貌。本发明方法通过考虑材料实际晶体结构对点蚀行为的影响,得到的仿真结果可用于预测点蚀坑形貌,为研究涉及一系列微观结构特征和各种电化学机制的更复杂的腐蚀现象提供参考。

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