基于脉冲伸缩处理技术的分布式应变传感器系统

    公开(公告)号:CN105337632B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201510808097.3

    申请日:2015-11-20

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于脉冲伸缩处理技术的分布式应变传感器系统,包括一信号发生及处理模块和一传感器分布模块;信号发生及处理模块包括一信号收发及处理设备,一低噪声放大器、一混频器、一低通滤波器及一计算机终端;传感器分布模块包括级联的第1传感器子单元至第n传感器子单元,信号收发及处理设备与传感器分布模块连接,传感器分布模块与低噪声放大器连接,低噪声放大器及信号收发及处理设备分别与混频器连接,混频器与低通滤波器连接,低通滤波器与信号收发及处理设备连接,信号收发及处理设备与计算机终端连接,本发明提供了一种稳健的、嵌入式的、低成本的新型分布式应变传感器系统。

    一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法

    公开(公告)号:CN105549230A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510968344.6

    申请日:2015-12-22

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: G02F1/09 G02B27/286 G02F1/0136

    Abstract: 本发明涉及一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法,将锑化铟样片低温恒温器中,待温度稳定后,将入射线偏振太赫兹波经一线偏振片提高偏振度,聚焦后照射至锑化铟样片的表面,并将一可调稳定的磁场垂直加载于锑化铟样片。根据入射太赫兹的频率,通过调整磁场的入射加载方向以及大小,完成太赫兹圆偏振光的获取。本发明所提出的一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法,具有调制频率宽、圆偏振出射完美以及偏振器件可调谐的优点。

    基于脉冲伸缩处理技术的分布式应变传感器系统

    公开(公告)号:CN105337632A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201510808097.3

    申请日:2015-11-20

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H04B1/40 H04L27/103

    Abstract: 本发明涉及一种基于脉冲伸缩处理技术的分布式应变传感器系统,包括一信号发生及处理模块和一传感器分布模块;信号发生及处理模块包括一信号收发及处理设备,一低噪声放大器、一混频器、一低通滤波器及一计算机终端;传感器分布模块包括级联的第1传感器子单元至第n传感器子单元,信号收发及处理设备与传感器分布模块连接,传感器分布模块与低噪声放大器连接,低噪声放大器及信号收发及处理设备分别与混频器连接,混频器与低通滤波器连接,低通滤波器与信号收发及处理设备连接,信号收发及处理设备与计算机终端连接,本发明提供了一种稳健的、嵌入式的、低成本的新型分布式应变传感器系统。

    一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法

    公开(公告)号:CN105549230B

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201510968344.6

    申请日:2015-12-22

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法,将锑化铟样片低温恒温器中,待温度稳定后,将入射线偏振太赫兹波经一线偏振片提高偏振度,聚焦后照射至锑化铟样片的表面,并将一可调稳定的磁场垂直加载于锑化铟样片。根据入射太赫兹的频率,通过调整磁场的入射加载方向以及大小,完成太赫兹圆偏振光的获取。本发明所提出的一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法,具有调制频率宽、圆偏振出射完美以及偏振器件可调谐的优点。

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