公开(公告)号：CN108192619A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810063711.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  陆干臻 ,  赵志伟 ,  阮玉帅 ,  胡海龙 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  唐谦 ,  陈兴德

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明涉及一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在ITO玻璃衬底上，以金核作为等离子激元增强中心，以SiO2壳作为隔离层，以CdSe半导体量子点作为光致发光中心、旋涂形成金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光层，再通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。其中，利用金/SiO2壳核结构纳米颗粒在外界电场作用下等离子体激元增强效应，改变其下面半导体量子点周围电场分布和强度，最终提升半导体量子点薄膜的发光性能。