-
公开(公告)号：CN106935388A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710098427.3
申请日：2017-02-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01F38/14 , H01F27/306 , H01F2038/143
Abstract: 本发明涉及一种多绕组磁耦合接收线圈结构，具体包括一环形磁芯、若干组绕组以及多路选通开关网络；所述若干组绕组分为两类，第一类包括大于等于3组的绕组，该第一类绕组沿所述环形磁芯的截面绕制，用以耦合感应与环形磁芯平面平行方向但任意角度的外部磁场；第二类包括1组绕组，该第二类绕组沿所述环形磁芯的磁环圆周绕制，用以耦合感应与环形磁芯平面垂直方向的外部磁场；所述若干组绕组的端口通过一个多路选通开关网络实现不同的选通连接后输出，用以使得各个绕组的耦合感应电压相互叠加。本发明可以尽可能多的耦合感应空间任意方向的磁场，而且结构简单，具有平面化低矮的特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106935388B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710098427.3
申请日：2017-02-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种多绕组磁耦合接收线圈结构，具体包括一环形磁芯、若干组绕组以及多路选通开关网络；所述若干组绕组分为两类，第一类包括大于等于3组的绕组，该第一类绕组沿所述环形磁芯的截面绕制，用以耦合感应与环形磁芯平面平行方向但任意角度的外部磁场；第二类包括1组绕组，该第二类绕组沿所述环形磁芯的磁环圆周绕制，用以耦合感应与环形磁芯平面垂直方向的外部磁场；所述若干组绕组的端口通过一个多路选通开关网络实现不同的选通连接后输出，用以使得各个绕组的耦合感应电压相互叠加。本发明可以尽可能多的耦合感应空间任意方向的磁场，而且结构简单，具有平面化低矮的特点。
-
公开(公告)号：CN105911364A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610415058.1
申请日：2016-06-14
Applicant: 福州大学
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/2694
Abstract: 本发明公开任意偏置下的三相电抗器的磁芯损耗测量电路及其方法，三相电抗器具有三个磁芯柱，每个磁芯柱上套装有一绕组，每个绕组具有一上端和一下端，测量电路包括开关频率的交流激励源和偏磁激励源，偏磁激励源的正极与任一绕组的上端连接，偏磁激励源的负极连接该任一绕组的下端，另外两个绕组的下端连接，开关频率的交流激励源的两极分别连接于另外两个绕组的上端。方法为获取对应交流激励绕组的电压波形和电流波形，并进行积分得到该两个交流激励磁芯柱上的磁芯损耗，以同样的方法交换磁芯柱所接的激励源，三次交换得到的磁芯损耗累加并除以2，再减去绕组损耗，得到三相电抗器的总磁芯损耗。本发明具有控制简单、成本低和易于实现等优点。
-
公开(公告)号：CN105911364B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610415058.1
申请日：2016-06-14
Applicant: 福州大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开任意偏置下的三相电抗器的磁芯损耗测量电路及其方法，三相电抗器具有三个磁芯柱，每个磁芯柱上套装有一绕组，每个绕组具有一上端和一下端，测量电路包括开关频率的交流激励源和偏磁激励源，偏磁激励源的正极与任一绕组的上端连接，偏磁激励源的负极连接该任一绕组的下端，另外两个绕组的下端连接，开关频率的交流激励源的两极分别连接于另外两个绕组的上端。方法为获取对应交流激励绕组的电压波形和电流波形，并进行积分得到该两个交流激励磁芯柱上的磁芯损耗，以同样的方法交换磁芯柱所接的激励源，三次交换得到的磁芯损耗累加并除以2，再减去绕组损耗，得到三相电抗器的总磁芯损耗。本发明具有控制简单、成本低和易于实现等优点。
-
公开(公告)号：CN106057395A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610668052.5
申请日：2016-08-16
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01F3/10 , H01F3/14 , H01F27/306 , H01F2003/106
Abstract: 本发明提供了一种具有永磁偏磁的磁性元件组合体。包括均由低磁阻磁路和高磁阻磁路组成的第一组磁路、第二组磁路以及分别设置在两组磁路上的激励线圈；还包括至少一个连接两组磁路的永磁体连接磁路；永磁体位置及永磁体极性的设置使得永磁体在第一组磁路磁芯、第二组磁路磁芯上产生的永磁磁通方向与激励线圈在第一组磁路磁芯、第二组磁路磁芯上产生的直流磁通方向相反。本发明利用永磁体产生的永磁磁通抵消流过磁元件绕组中流过电流的直流部分产生的直流磁通，又防止磁元件绕组中流过电流的交流成分产生的交流磁通对永磁体进行切割，从而既减小了磁元件中磁芯材料的体积或增大磁元件的工作电流，又保证了永磁体基本不产生交流磁通涡流损耗。
-
公开(公告)号：CN205943635U
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201620880789.9
申请日：2016-08-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种具有永磁偏磁的磁性元件组合体。包括均由低磁阻磁路和高磁阻磁路组成的第一组磁路、第二组磁路以及分别设置在两组磁路上的激励线圈；还包括至少一个连接两组磁路的永磁体连接磁路；永磁体位置及永磁体极性的设置使得永磁体在第一组磁路磁芯、第二组磁路磁芯上产生的永磁磁通方向与激励线圈在第一组磁路磁芯、第二组磁路磁芯上产生的直流磁通方向相反。本实用新型利用永磁体产生的永磁磁通抵消流过磁元件绕组中流过电流的直流部分产生的直流磁通，又防止磁元件绕组中流过电流的交流成分产生的交流磁通对永磁体进行切割，从而既减小了磁元件中磁芯材料的体积或增大磁元件的工作电流，又保证了永磁体基本不产生交流磁通涡流损耗。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.013 seconds)
