公开(公告)号：CN108232042A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810065630.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  赵志伟 ,  阮玉帅 ,  叶冰清 ,  胡海龙 ,  陈恩果 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  赖寿强

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/502

Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法。利用简单的旋涂成膜工艺技术，在图案化的ITO玻璃衬底上，分别旋涂空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层、贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点混合量子点层、电子传输层，再通过磁控溅射蒸镀电极以及封装工艺，最终制备出贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件。利用金属等离子体激元增强效应提升半导体量子点周围的电场强度，从而有效提升在电致发光发光层载流子复合的利用效率，使得半导体量子点电致发光强度和发光效率剧增。

公开(公告)号：CN108130085A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810063616.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  赵志伟 ,  阮玉帅 ,  叶冰清 ,  胡海龙 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  徐胜 ,  赖寿强

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜。在ITO玻璃衬底上，组装单层金属纳米颗粒核作为等离子激元增强中心，并在金属纳米颗粒外包SiO2壳作为隔离层；以CuInS/ZnS量子点半导体量子点作为光致发光中心。利用旋涂工艺制备贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜，最后通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出所述量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，成为最有可能提高半导体量子点处光场强度，提升激发光利用效率，从而最终提升半导体量子点发光光学膜整体发光性能的最有效方法。