公开(公告)号：CN117923436A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410103383.9

申请日：2024-01-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 詹红兵 ,  费班 ,  蔡道平 ,  张超琦

IPC: C01B19/04 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明公开了一种管状富硒空位二硒化钒及其制备方法与应用，属于锂硫电池硫正极宿主材料的制备领域。所述VSe2由六边形纳米片状自组装而成的管状结构，直径~1μm，长度10‑30μm，并含有丰富的Se空位；其是先通过溶剂热法合成VSe2/OCT前驱体，然后将VSe2/OCT进行热处理而制得，在这个过程中VSe2/OCT层间的OCT有机分子被裂解掉，破坏了VSe2层间与OCT临近的Se原子，从而获得贯通于VSe2晶格结构内的丰富Se空位。本发明制备的管状富硒空位二硒化钒材料微观形貌上大小均一，呈现一维中空结构，将其应用于锂硫电池正极时展现较高的比容量。

公开(公告)号：CN117903594A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410103391.3

申请日：2024-01-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 詹红兵 ,  费班 ,  蔡道平 ,  陈奇俤

IPC: C08L79/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/60 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  C08K3/30 ,  C08K7/00

Abstract: 本发明公开了一种插层型聚苯胺/二硒化钒复合材料及其制备方法与应用，属于锂硫电池硫正极宿主材料制备领域。其是以VOSO4、SeO2和PANI为原料，通过一步溶剂热法将导电聚合物PANI嵌入层状VSe2的层间，制成插层型PANI/VSe2复合材料。该复合材料中PANI层与VSe2层形成交替的三明治式结构，极大提高了其导电性和对多硫化物的吸附及催化效能，使其可用作锂硫电池正极硫宿主。