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公开(公告)号：CN110095056B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201910533446.3
申请日：2019-06-19
Applicant: 福州大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明涉及一种片上集成的环形霍尔角度传感器及其传感扫描方法。所述环形霍尔角度传感器，其结构为由横截面为梯形的八个立体相接构成的正八边形环状柱体，每一横截面为梯形的立体均包括N阱层、位于N阱层两旁侧且与N阱层相接的两个P衬底层、设于N阱层上部的N+注入层、设于N阱层上部且位于N+注入层两旁的两个P+注入层、设于N阱层上表面且与N+注入层电性连接的N接触电极、设于N阱层上表面且与P+注入层电性连接的P接触电极、设于P衬底层上部的P阱层。本发明整个设计采用单传感器集成于芯片内部，减少了芯片的面积和工艺成本，在一定程度上降低了芯片功耗，能够简化角度测控的实现方式，扩大侦测范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110095056A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910533446.3
申请日：2019-06-19
Applicant: 福州大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本发明涉及一种片上集成的环形霍尔角度传感器及其传感扫描方法。所述环形霍尔角度传感器，其结构为由横截面为梯形的八个立体相接构成的正八边形环状柱体，每一横截面为梯形的立体均包括N阱层、位于N阱层两旁侧且与N阱层相接的两个P衬底层、设于N阱层上部的N+注入层、设于N阱层上部且位于N+注入层两旁的两个P+注入层、设于N阱层上表面且与N+注入层电性连接的N接触电极、设于N阱层上表面且与P+注入层电性连接的P接触电极、设于P衬底层上部的P阱层。本发明整个设计采用单传感器集成于芯片内部，减少了芯片的面积和工艺成本，在一定程度上降低了芯片功耗，能够简化角度测控的实现方式，扩大侦测范围。
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公开(公告)号：CN110095739B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201910529125.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统以及方法，可用于无刷直流电机，所述霍尔角度传感器系统包括多根用于电机内部磁场检测的条形垂直霍尔器件；所述多根霍尔器件首尾相邻形成一个几何完全对称的多边形的磁场探测结构；所述霍尔器件的磁场探测部为半导体元件；所述半导体元件的磁场探测面处设有垂直霍尔结构；所述垂直霍尔结构为交替设于半导体衬底上的P型区和N型区；当电机工作时，电机磁场以非交叠分时时序扫描磁场探测结构的各个磁场探测面，使所述磁场探测结构输出电机磁场状态监测信号；本发明能降低芯片功耗，提升测量精度且测控范围更广泛。
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公开(公告)号：CN110095739A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910529125.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统以及方法，可用于无刷直流电机，所述霍尔角度传感器系统包括多根用于电机内部磁场检测的条形垂直霍尔器件；所述多根霍尔器件首尾相邻形成一个几何完全对称的多边形的磁场探测结构；所述霍尔器件的磁场探测部为半导体元件；所述半导体元件的磁场探测面处设有垂直霍尔结构；所述垂直霍尔结构为交替设于半导体衬底上的P型区和N型区；当电机工作时，电机磁场以非交叠分时时序扫描磁场探测结构的各个磁场探测面，使所述磁场探测结构输出电机磁场状态监测信号；本发明能降低芯片功耗，提升测量精度且测控范围更广泛。
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公开(公告)号：CN210136297U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201920919493.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型提出一种用于电机的垂直阵列型霍尔角度传感器系统，可用于无刷直流电机，所述霍尔角度传感器系统包括多根用于电机内部磁场检测的条形垂直霍尔器件；所述多根霍尔器件首尾相邻形成一个几何完全对称的多边形的磁场探测结构；所述霍尔器件的磁场探测部为半导体元件；所述半导体元件的磁场探测面处设有垂直霍尔结构；所述垂直霍尔结构为交替设于半导体衬底上的P型区和N型区；当电机工作时，电机磁场以非交叠分时时序扫描磁场探测结构的各个磁场探测面，使所述磁场探测结构输出电机磁场状态监测信号；本实用新型能降低芯片功耗，提升测量精度且测控范围更广泛。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209945256U
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201920925411.X
申请日：2019-06-19
Applicant: 福州大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本实用新型涉及一种片上集成的环形霍尔角度传感器。其结构为由横截面为梯形的八个立体相接构成的正八边形环状柱体，每一横截面为梯形的立体均包括N阱层、位于N阱层两旁侧且与N阱层相接的两个P衬底层、设于N阱层上部的N+注入层、设于N阱层上部且位于N+注入层两旁的两个P+注入层、设于N阱层上表面且与N+注入层电性连接的N接触电极、设于N阱层上表面且与P+注入层电性连接的P接触电极、设于P衬底层上部的P阱层。本实用新型整个设计采用单传感器集成于芯片内部，减少了芯片的面积和工艺成本，在一定程度上降低了芯片功耗，能够简化角度测控的实现方式，扩大侦测范围。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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