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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118420506A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410543544.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 福州大学
IPC: C07D207/267 , C07C51/41 , C07C55/22 , C09K23/32 , C23F1/18
Abstract: 本发明公开了一种低聚吡咯烷酮头基表面活性剂及其制备方法和在集成电路铜蚀刻液中的应用，属于表面活性剂和蚀刻液技术领域。利用酸性溶液中吡咯烷酮头基上的N完全质子化的特性，将N‑丁基‑2‑吡咯烷酮与丙三酸反应，制备低表面张力的低聚吡咯烷酮头基表面活性剂，反应过程操作简单，反应条件温和且副产物含量少。进一步复配得到低表面张力高稳定性铜蚀刻液，具有表面张力低、润湿能力强、刻蚀速率均匀、底切控制优良、蚀刻效果好的特点，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118388386A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410543548.4
申请日：2024-04-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Gemini型吡咯烷酮表面活性剂及其制备方法和在制备四甲基氢氧化铵硅蚀刻液中的应用，属于表面活性剂和蚀刻液技术领域。Gemini型吡咯烷酮表面活性剂与传统的单体表面活性剂相比，有着反应产率较高和临界胶束浓度较低等特点，将其与四甲基氢氧化铵水溶液复配得到硅蚀刻液，具有表面张力低、润湿能力强、杂质金属离子含量少、有效控制氢气气泡、改善硅片表面粗糙度、蚀刻效果优异的特点，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN116284731A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310118095.6
申请日：2023-02-15
IPC: C08G65/28 , C08G65/331 , G03G9/12
Abstract: 本发明公开了一种含桥环结构的封端聚醚及其应用。该封端聚醚是一种含有桥环结构的表面活性剂，其是将1‑甲基‑4‑(1‑甲基乙基)‑1,3‑己二烯和顺丁烯二醇通过狄尔斯‑阿尔德反应生成含桥环结构的二醇中间产物A，然后在高压条件下先后与环氧丙烷和环氧乙烷发生聚合反应，生成含桥环结构的双子型聚醚，再将所得聚醚与乙酸酐进行反应而制得。本发明制备的含桥环结构的封端聚醚对光刻胶有良好的分散作用，双子型的结构特点使其具备更低的CMC浓度，因而在显影液中有更好的应用。
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公开(公告)号：CN116103054A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310118147.X
申请日：2023-02-15
Abstract: 本发明公开了一种用于显影液的四联结构乳化剂及其制备方法。该乳化剂是一种单个分子内含有四个亲水头基以及四条疏水尾链的新型乳化剂，其是由2,2‑双羟甲基‑1,3‑丙二醇和三氯氧磷在缚酸剂和四氢呋喃存在下经反应后，滴加长链脂肪醇继续反应，并经水解脱氯、乙醇钠乙醇溶液处理制得。本发明制备的四联结构乳化剂利用共价键的强作用力，使亲水头基间距比普通表面活性剂更小，进而使得其临界胶束浓度更低，具备更好的乳化性能，在显影液的应用中有更好的表现。
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公开(公告)号：CN116300345A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310118039.2
申请日：2023-02-15
Abstract: 本发明公开了一种用于TFT‑LCD滤光片制程的弱碱性显影液。按重量百分数之和为100%计，该显影液中所用各原料及其所占重量百分数为：碱性物质4～15％，含共轭结构分散剂5～15％，增溶剂0.5～5％，余量为水。本发明所制备的显影液具有碱性较弱、泡沫少、显影图案清晰、无光刻胶残留、使用寿命长等优点，主要用于显示面板中负性光刻胶的显影。
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