公开(公告)号：CN102214159A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110138590.0

申请日：2011-05-26

Applicant: 福州大学

Inventor： 苏凯雄 ,  庄敏敏 ,  程钢 ,  杨秀芝

IPC: G06F17/14

Abstract: 本发明涉及一种实现3780点FFT/IFFT的方法及其处理器，它由顶层、中间层和底层三层组成。顶层用混合基法分解3780点，中间层用素因子算法分解63点和60点FFT，底层用WFTA算法完成7点、9点、3点、4点、5点的FFT计算。该方法综合了混合基算法、素因子算法、WFTA算法的优点来实现3780点的FFT，避免了用内插法计算4096点所带来的误差，又减少了混合基算法中的旋转因子和混序单元。此外，本发明的设计中采用复用存储器完成索引的结构不仅电路简单，易于实现，而且可节约芯片资源。

公开(公告)号：CN102006087B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201010540200.8

申请日：2010-11-11

Applicant: 福州大学

Inventor： 苏凯雄 ,  周文 ,  程钢 ,  杨秀芝

IPC: H03M13/23

Abstract: 本发明提供了一种基于SRAM的卷积交织方法，其特征在于按如下步骤进行：（1）、启动与SRAM电路连接的地址发生器，通过地址发生器内部的控制电路，并结合地址发生器内部的分支基地址产生器和分支偏移地址产生器产生相对应的基地址和偏移地址，所述基地址和偏移地址共同组成数据读写总地址；（2）启动SRAM读写控制电路，并结合步骤(1)产生的数据读写总地址，从SRAM存储器中读出已卷积交织数据；（3）在SRAM存储器的同一地址单元内写入待卷积交织数据；（4）继续（1），如此循环。本发明的特点是硬件电路简单、成本低廉、设计灵活、使用方便，可针对不同复杂性系统的需求进行设计。

公开(公告)号：CN102006087A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010540200.8

申请日：2010-11-11

Applicant: 福州大学

Inventor： 苏凯雄 ,  周文 ,  程钢 ,  杨秀芝

IPC: H03M13/23

Abstract: 本发明提供了一种基于SRAM的卷积交织方法，其特征在于按如下步骤进行：（1）、启动与SRAM电路连接的地址发生器，通过地址发生器内部的控制电路，并结合地址发生器内部的分支基地址产生器和分支偏移地址产生器产生相对应的基地址和偏移地址，所述基地址和偏移地址共同组成数据读写总地址；（2）、启动SRAM读写控制电路，并结合步骤(1)产生的数据读写总地址，从SRAM存储器中读出已卷积交织数据；（3）、在SRAM存储器的同一地址单元内写入待卷积交织数据；（4）、继续（1），如此循环。本发明的特点是硬件电路简单、成本低廉、设计灵活、使用方便，可针对不同复杂性系统的需求进行设计。