公开(公告)号：CN116106351A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310074046.7

申请日：2023-01-16

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  稂新杰 ,  程树英

IPC: G01N23/2273 ,  G01N23/2202 ,  G01R19/00 ,  H10N52/01 ,  H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  G01N21/17

Abstract: 本发明提出一种分离三维拓扑绝缘体锑化碲薄膜上下表面态光致反常霍尔电流的方法，该方法利用1064纳米波长的圆偏振光在室温下垂直入射在施加了横向电场的三维拓扑绝缘体锑化碲薄膜上，以诱导光致反常霍尔电流。通过电动平移台使光斑沿着锑化碲薄膜的正方形电极连线的垂直平分线移动，获得了锑化碲薄膜中光致反常霍尔电流与光斑位置的变化曲线，提出了一种分离上下表面态光致反常霍尔电流的理论模型。利用该理论模型中提出的公式拟合得到了锑化碲薄膜的上表面态和下表面态的光致反常霍尔电流的空间分布。本发明直接高效，简单易行，成本低廉，有利于在实际应用中的推广。