公开(公告)号：CN115636442B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202211415851.3

申请日：2022-11-11

Applicant: 福州大学

Inventor： 王心晨 ,  张金水 ,  侯乙东 ,  王晓艺 ,  阳灿 ,  卢尔君

IPC: C01G41/02 ,  B01J23/30 ,  B01J37/08 ,  C07C249/02 ,  C07C251/24

Abstract: 本发明公开了一种高压制备富含过饱和表面氧空位金属氧化物的方法及其在光催化分子氧活化中的应用，属于能源催化技术领域。以商品化的金属氧化物为原料，在0.8~1.5 GPa，200~600℃下处理0.5~10 h，冷却卸压后得到了富含高氧空位浓度的金属氧化物催化剂。本发明利用高压对氧空位的迁移、湮没以及体相氧原子溢出行为的抑制作用，实现了过饱和氧空位在金属氧化物表面上的选择性引入。过饱和表面氧空位对分子氧具有优异的吸附和活化能力，显著提高光催化产过氧化氢的活性。相比于传统的氢气还原法，高压技术因其在原子水平上独特的调控能力，可以实现对氧空位的含量及空间分布的有效调控。

公开(公告)号：CN115636442A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211415851.3

申请日：2022-11-11

Applicant: 福州大学

Inventor： 王心晨 ,  张金水 ,  侯乙东 ,  王晓艺 ,  阳灿 ,  卢尔君

IPC: C01G41/02 ,  B01J23/30 ,  B01J37/08 ,  C07C249/02 ,  C07C251/24

Abstract: 本发明公开了一种高压制备富含过饱和表面氧空位金属氧化物的方法及其在光催化分子氧活化中的应用，属于能源催化技术领域。以商品化的金属氧化物为原料，在0.8~1.5 GPa，200~600℃下处理0.5~10 h，冷却卸压后得到了富含高氧空位浓度的金属氧化物催化剂。本发明利用高压对氧空位的迁移、湮没以及体相氧原子溢出行为的抑制作用，实现了过饱和氧空位在金属氧化物表面上的选择性引入。过饱和表面氧空位对分子氧具有优异的吸附和活化能力，显著提高光催化产过氧化氢的活性。相比于传统的氢气还原法，高压技术因其在原子水平上独特的调控能力，可以实现对氧空位的含量及空间分布的有效调控。