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公开(公告)号：CN119803263A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411955399.9
申请日：2024-12-28
Applicant: 福州大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出一种减小寄生电容效应的金属膜厚测量方法，所述方法采用的装置包括传感器线圈、前置信号处理模块、数据采集模块、通讯模块和上位机，所述方法通过信号发生器中的晶体振荡器向传感器线圈以及前置信号处理电路分别输入交流电压，以前置信号处理电路输出与金属膜厚对应的测量阻抗值，通过数据采集模块和通讯模块将阻抗值输入上位机，在上位机中进行拟合运算，计算得到相应的金属膜厚特征值；本发明以单线圈传感器系统为核心部分，测量方法采用结合差分进化算法拟合的特征斜率法，可获得纳米量级厚度分辨率、能够显著降低寄生电容效应。
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