公开(公告)号：CN105842291B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201610183377.4

申请日：2016-03-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 戴文新 ,  王中明 ,  陈旬 ,  员汝胜 ,  付贤智

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明公开了一种CuWO4/WO3复合光助气敏元件及其制备方法，其是在金叉指电极片表面经水热反应生成一层H2WO4薄膜，然后将其浸渍于乙酸铜的醇溶液中，使其表面镶嵌式原位生成CuWO4，再经高温焙烧后，制备出具有CuWO4/WO3异质结结构的光助气敏元件。本发明可有效简化现有气敏元件的制备工艺，且得到的光助气敏元件具有良好的稳定性和重复性，在室温及可见光下均对CO气体显示出较佳的响应性能。本发明在制备半导体光助气敏传感器方面具有较好的应用前景，且扩展了WO3基光助气敏元件的材料选择范围。

公开(公告)号：CN105842291A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610183377.4

申请日：2016-03-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 戴文新 ,  王中明 ,  陈旬 ,  员汝胜 ,  付贤智

IPC: G01N27/00

CPC classification number: G01N27/00

Abstract: 本发明公开了一种CuWO4/WO3复合光助气敏元件及其制备方法，其是在金叉指电极片表面经水热反应生成一层H2WO4薄膜，然后将其浸渍于乙酸铜的醇溶液中，使其表面镶嵌式原位生成CuWO4，再经高温焙烧后，制备出具有CuWO4/WO3异质结结构的光助气敏元件。本发明可有效简化现有气敏元件的制备工艺，且得到的光助气敏元件具有良好的稳定性和重复性，在室温及可见光下均对CO气体显示出较佳的响应性能。本发明在制备半导体光助气敏传感器方面具有较好的应用前景，且扩展了WO3基光助气敏元件的材料选择范围。