一种顶栅结构的异质复合型光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN119836116A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510046586.3

    申请日:2025-01-13

    Applicant: 福州大学

    Inventor: 王鹏飞 潘湃 刘宇

    Abstract: 本发明提出一种顶栅结构的异质复合型光电探测器及制备方法,所述光电探测器为顶栅式的异质复合光电晶体管,包括由电子导体石墨烯与超离子导体#imgabs0#复合形成的异质结构,以及该异质结构表面的顶栅顶接触式结构;该异质结构通过电子导体的电子、超离子导体的离子的相互作用来形成光电响应机制;本发明通过在二维材料石墨烯和超离子导体材料#imgabs1#之间形成离子‑电子束缚态(IEBS)结构,能够有效提升光电探测器的光电响应性能和灵敏度,特别是在光电响应速度和探测灵敏度方面取得了显著的改进。

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