公开(公告)号：CN111952473A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010829057.8

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶冰清 ,  邱荧琳 ,  陆干臻 ,  陈恩果 ,  叶芸 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  汤成仁

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间隙之间堆积，从而提高了钙钛矿发光层的抗水氧腐蚀性，而且还防止了电子、空穴在间隙处的直接复合，从而提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN111952473B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202010829057.8

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶冰清 ,  邱荧琳 ,  陆干臻 ,  陈恩果 ,  叶芸 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  汤成仁

IPC: H10K50/15 ,  H10K50/155 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间

公开(公告)号：CN111952472A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010828328.8

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶冰清 ,  邱荧琳 ,  黄建华 ,  陈恩果 ,  叶芸 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  汤成仁

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种基于短链配体修饰的CdSe量子点发光二极管器件制备方法,包括以下步骤：步骤S1：选取ITO玻璃作为衬底，步骤S2：旋涂PEDOT：PSS溶液，形成薄膜；步骤S3：配置空穴传输层溶液，并旋涂于PEDOT：PSS的膜层之上，形成空穴传输层；步骤S4：制备银纳米颗粒，并使用正己烷溶解纳米颗粒，制备成银纳米颗粒的正己烷溶液；步骤S5：制备CdSe量子点与二氧化硅纳米颗粒的混合溶液，并在空穴传输层上旋涂混合溶液，形成CdSe量子点发光中心层；步骤S6：配置ZnO溶液，在量子点膜层之上旋涂该溶液，形成氧化锌的电子传输层；步骤S7：利用蒸镀技术，形成银电极，制备得出掺杂了银的CdSe量子点发光二极管。本发明能够有效提高量子点发光层的载流子浓度，提高其复合几率。