公开(公告)号：CN117867577A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410099665.6

申请日：2024-01-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 翁威 ,  苏国晖 ,  段宇坤 ,  李佳承 ,  邱小玲 ,  迟晓鹏 ,  衷水平

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/054 ,  C25B3/26 ,  C25B11/061 ,  B22F9/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于金属箔材表面处理技术领域，具体公开了一种表面改性铜箔及其制备方法与应用。本发明先对商用铜箔和/或残次铜箔顺次在含锡溶液和氯化铜溶液中进行浸泡，浸泡完成后与还原剂进行反应，得到表面改性铜箔。本发明表面改性铜箔的制备方法具有以下特点：可以采用铜箔制备过程中产生的残次品作为基底，可显著降低电极成本；经一步简单处理即可制备，工艺简单且无需高耗能工序；电极表面由纳米三角锥结构组成，在工作时可通过尖端放电效应提供大量电子聚集区，强化二氧化碳得电子还原；表面为CuCl和锡颗粒的复合成分，可通过协同作用提升二氧化碳还原为多碳产物的选择性。