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公开(公告)号：CN107123532A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710520740.1
申请日：2017-06-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种交流母线磁耦合取能装置及方法，包括设置于交流载流母排上部的一对导磁侧板、设置于导磁侧板之间且两端分别与对应导磁侧板内侧面固定连接的磁柱以及绕设于所述磁柱上的绕组。通过导磁侧板吸引交流母排电流产生的交流磁通，通过磁柱集中磁通，并通过绕组感应输出电压。本发明所提出一种交流母线磁耦合取能装置及方法，能直接从交流载流母排通过磁耦合获得电能的取能装置，只要将该装置放置在母排上方，就可以从交流载流母排上获取足够的电能为电子电路供电，使用简单便捷，体积小，免维护，取能效率高。
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公开(公告)号：CN106291124A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610676909.8
申请日：2016-08-17
Applicant: 福州大学
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/2688
Abstract: 本发明涉及一种磁芯损耗测量的定标方法，在直流功率计法测量磁件损耗的原理基础上，通过详细分析所建立的方波逆变装置各个损耗部分的产生原理，从而建立起精确的装置损耗定标模型，并且考虑到装置损耗在器件于不同温升下，其定标模型的待定系数将会发生变化，而不同的输入电压将会直接导致装置开关器件处于不同的温升下工作，因此本发明最终在所建立的定标模型的基础上，依据不同输入电压进行分段定标，大大提高了装置的测量精度。
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公开(公告)号：CN109188103B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201811188203.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 福州大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种基于阻抗分析仪测量磁芯损耗的方法，基于阻抗分析仪自动平衡电桥的高精度阻抗测量原理，结合交流功率计法中双绕组测量磁芯损耗的概念，提出了一种利用磁芯频率阻抗特性来表征磁芯损耗，并能够在大信号励磁和宽频带范围内测量磁芯损耗的方法。该方法由阻抗分析仪、功率放大器，宽频带高精度的分压器和分流器，以及待测磁件构成，且待测磁件采用双绕组，依据阻抗分析仪高精度阻抗测量的特点，可直接测量高功率密度下的磁芯频率阻抗特性，并以此表征磁芯单位电流损耗，具有较高的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109188103A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811188203.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 福州大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种基于阻抗分析仪测量磁芯损耗的方法，基于阻抗分析仪自动平衡电桥的高精度阻抗测量原理，结合交流功率计法中双绕组测量磁芯损耗的概念，提出了一种利用磁芯频率阻抗特性来表征磁芯损耗，并能够在大信号励磁和宽频带范围内测量磁芯损耗的方法。该方法由阻抗分析仪、功率放大器，宽频带高精度的分压器和分流器，以及待测磁件构成，且待测磁件采用双绕组，依据阻抗分析仪高精度阻抗测量的特点，可直接测量高功率密度下的磁芯频率阻抗特性，并以此表征磁芯单位电流损耗，具有较高的精度。
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公开(公告)号：CN107992714B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810070552.8
申请日：2018-01-25
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明提供一种适用于圆导体绕组高频损耗分析与计算方法，其中分析方法包括以下步骤：步骤S1：将圆导体等效为方导体；步骤S2：在导体周围磁场满足一维分布条件下，通过一维电磁场涡流方程求得方导体的电流密度分布，并结合圆导体和方导体电流密度分布的关系，以此建立圆导体的绕组损耗模型。本发明模型简单，便于分析和计算；将圆导体的涡流效应分解为集肤效应和邻近效应，并从集肤效应和邻近效应分别作用下，分析并仿真验证圆导体和方导体的电流密度分布规律；能够依据一维电磁场涡流方程求解所得的方导体电流密度分布公式，较为精确地推算出圆导体的涡流损耗模型。
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公开(公告)号：CN107123532B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201710520740.1
申请日：2017-06-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种交流母线磁耦合取能装置及方法，包括设置于交流载流母排上部的一对导磁侧板、设置于导磁侧板之间且两端分别与对应导磁侧板内侧面固定连接的磁柱以及绕设于所述磁柱上的绕组。通过导磁侧板吸引交流母排电流产生的交流磁通，通过磁柱集中磁通，并通过绕组感应输出电压。本发明所提出一种交流母线磁耦合取能装置及方法，能直接从交流载流母排通过磁耦合获得电能的取能装置，只要将该装置放置在母排上方，就可以从交流载流母排上获取足够的电能为电子电路供电，使用简单便捷，体积小，免维护，取能效率高。
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公开(公告)号：CN107992714A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201810070552.8
申请日：2018-01-25
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种适用于圆导体绕组高频损耗分析与计算方法，其中分析方法包括以下步骤：步骤S1：将圆导体等效为方导体；步骤S2：在导体周围磁场满足一维分布条件下，通过一维电磁场涡流方程求得方导体的电流密度分布，并结合圆导体和方导体电流密度分布的关系，以此建立圆导体的绕组损耗模型。本发明模型简单，便于分析和计算；将圆导体的涡流效应分解为集肤效应和邻近效应，并从集肤效应和邻近效应分别作用下，分析并仿真验证圆导体和方导体的电流密度分布规律；能够依据一维电磁场涡流方程求解所得的方导体电流密度分布公式，较为精确地推算出圆导体的涡流损耗模型。
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公开(公告)号：CN206976154U
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201720778861.1
申请日：2017-06-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种交流母线磁耦合取能装置，包括设置于交流载流母排上部的一对导磁侧板、设置于导磁侧板之间且两端分别与对应导磁侧板内侧面固定连接的磁柱以及绕设于所述磁柱上的绕组。本实用新型所提出一种交流母线磁耦合取能装置，能直接从载流母排通过磁耦合获得电能的取能装置，只要将该装置简单地贴放在母排上方，就可以从交流载流母排上获取足够的电能为电子电路供电，使用简单便捷，体积小，免维护，取能效率高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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