公开(公告)号：CN116121857A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310299610.5

申请日：2023-03-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 黄兴 ,  杨顺航 ,  史宁宁

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种高各向异性比、高度取向排布碲化锑二维纳米片的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用化学气相沉积法，以碲化锑粉末作为反应源，以天然云母片作为沉积衬底，Ar/H2混合气作为沉积反应气氛，利用范德华外延生长机制实现了高质量碲化锑纳米片的制备。本方法操作简便，重复性好，工艺简单，沉积效率高，制备出的碲化锑纳米片具有高晶体质量、大横向尺寸（＞100um）、超薄纵向厚度（≈10nm）、高各向异性比（＞104）、高度取向排布等优点,在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。

公开(公告)号：CN117566694A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311553813.9

申请日：2023-11-21

Applicant: 福州大学 ,  清源创新实验室

Inventor： 黄兴 ,  杨顺航 ,  李倩

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一种三元Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明利用化学气相沉积法，以碲化锑粉末和单质硒粉作为蒸发源，氩气作为沉积反应气氛，通过调控生长源的比例、位置以及反应温度，得到了成分可调、高质量的Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的Sb2(Se1‑xTex)3二维纳米片成分可调，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。

公开(公告)号：CN114874269A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210619002.3

申请日：2022-06-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 黄兴 ,  史宁宁 ,  杨顺航 ,  刘盼盼

IPC: C07F15/04 ,  C25B1/23 ,  C25B11/085 ,  C30B29/54 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明公开了一种镍基过渡金属配合物及其制备方法和应用。所述配合物的化学式为Ni2(pko)4(ppoa)2，其中，Hpko=二(2‑吡啶)酮肟，ppoa=苯基膦酸；属于单斜晶系，C21/c空间群，晶胞参数为a=20.3165(17)Å，b=15.4122(17)Å，c=20.1208(18)Å，α=90°，β=108.827(3)°，γ=90°，Z=4。所述配合物通过扩散法生成，制备方法简单，操作简便；其作为均相催化剂溶解于电解质溶液中，可以作为电催化剂用于将CO2电化学还原为CO。

公开(公告)号：CN114874269B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210619002.3

申请日：2022-06-01

Applicant: 福州大学

Inventor： 黄兴 ,  史宁宁 ,  杨顺航 ,  刘盼盼

IPC: C07F15/04 ,  C25B1/23 ,  C25B11/085 ,  C30B29/54 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明公开了一种镍基过渡金属配合物及其制备方法和应用。所述配合物的化学式为Ni2(pko)4(ppoa)2，其中，Hpko=二(2‑吡啶)酮肟，ppoa=苯基膦酸；属于单斜晶系，C21/c空间群，晶胞参数为a=20.3165(17)Å，b=15.4122(17)Å，c=20.1208(18)Å，α=90°，β=108.827(3)°，γ=90°，Z=4。所述配合物通过扩散法生成，制备方法简单，操作简便；其作为均相催化剂溶解于电解质溶液中，可以作为电催化剂用于将CO2电化学还原为CO。

公开(公告)号：CN118727137A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410929701.7

申请日：2024-07-11

Applicant: 福州大学 ,  清源创新实验室

Inventor： 黄兴 ,  王慧 ,  杨顺航 ,  林森

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0392 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明结合化学气相沉积与范德华外延生长的方法，以碲化镉粉末、硒化镉粉末和氯化镉粉末作为蒸发源，氩气和氢气混合气作为沉积反应气氛，原子级平整的云母作为范德华外延衬底，通过调控生长源的位置以及反应温度和时间，得到了成分可调、高质量的单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的CdSexTe1‑x二维纳米片具有均一的[111]取向，成分可调等优点，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。

公开(公告)号：CN117577706A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311545459.5

申请日：2023-11-20

Applicant: 福州大学 ,  清源创新实验室

Inventor： 黄兴 ,  杨顺航 ,  李倩

IPC: H01L31/032 ,  C23C16/30 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种碲化锑‑硒化锰垂直异质结及其制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。利用化学气相沉积法先于云母表面生长二维MnSe纳米片，然后将生长有MnSe纳米片的云母作为衬底，以碲化锑粉末作为蒸发源，氩氢混合气作为沉积反应气氛，进行二次沉积制得Sb2Te3‑MnSe垂直异质结纳米材料，为垂直堆叠层状结构，其中底层为MnSe纳米片，底层上堆叠Sb2Te3层。Sb2Te3较低的生长温度不会破坏类如MnSe的TMDs半导体材料晶格结构，工艺简单，对设备要求低，制备出的Sb2Te3‑MnSe质量高，对于研究纳米级光电子学器件具有重要的意义。