公开(公告)号：CN108511530B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201810236465.5

申请日：2018-03-21

Applicant: 福州大学

Inventor： 王心晨 ,  方元行 ,  陈惠鹏 ,  李晓春

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种氮化碳薄膜场效应晶体管。所述的场效应晶体管自下而上包括：栅极，介质层，氮化碳沟道层，以及分布于氮化碳沟道层上两侧的源极和漏极；其中介质层将栅极和氮化碳沟道层完全隔开；栅极与介质层一起构成了晶体管的衬底。氮化碳沟道层是通过前驱体升华原位聚合法沉积在介质层上的，然后制备源极和漏极，得到氮化碳场效应晶体管。这类氮化碳晶体管所用材料廉价易得，低污染，可大规模生产，能在有机光电器件领域有一定的应用意义。

公开(公告)号：CN108511530A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810236465.5

申请日：2018-03-21

Applicant: 福州大学

Inventor： 王心晨 ,  方元行 ,  陈惠鹏 ,  李晓春

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种氮化碳薄膜场效应晶体管。所述的场效应晶体管自下而上包括：栅极，介质层，氮化碳沟道层，以及分布于氮化碳沟道层上两侧的源极和漏极；其中介质层将栅极和氮化碳沟道层完全隔开；栅极与介质层一起构成了晶体管的衬底。氮化碳沟道层是通过前驱体升华原位聚合法沉积在介质层上的，然后制备源极和漏极，得到氮化碳场效应晶体管。这类氮化碳晶体管所用材料廉价易得，低污染，可大规模生产，能在有机光电器件领域有一定的应用意义。