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公开(公告)号：CN110078505A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910410947.2
申请日：2019-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , B28B3/02
Abstract: 本发明公开了一种高密度KNN-BNN压电陶瓷及其成型方法，首先制备(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xBi(Ni2/3Nb1/3)O3粉料，通过热压压片成型，在1150～1200℃下烧结成型，得到相对密度大于98.5%，压电常数120pC/N以上的铌酸钾钠基陶瓷，其具有良好的介电性能，相对介电常数为800-1500。本发明工艺步骤简单，重复性好，易于操作。
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