公开(公告)号：CN101801170A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010110735.1

申请日：2010-02-21

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  陈庆彬 ,  卢增艺

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种电场屏蔽体及其制作方法，包括：提供复数根窄导体构成梳状或网格状的电屏蔽平面；在所述复数根窄导体上各取一点，然后相互之间电性连接起来并通过引出线连接到电路上需要的点。本发明能有效地对磁性元件的电场起到屏蔽的作用，却不会带来高频交流磁场在该电屏蔽导体上造成的涡流电流及其引起的损耗，也不会改变磁性元件内部以及周围高频磁场的分布以及磁性元件的磁参数。

公开(公告)号：CN101789304A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010129189.6

申请日：2010-03-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  杨海军 ,  卢增艺

IPC: H01F17/04 ,  H01F27/24 ,  H01F7/02

Abstract: 本发明涉及一种具有永磁偏磁的磁性元件，包括用以形成磁通回路且具有至少一个气隙断口的磁芯，其特征在于：所述磁芯上绕设有工作线圈，所述磁芯的气隙断口至少一侧面上设有一对永磁体，所述永磁体上设有至少一个软磁磁芯，以连通两永磁体，从而形成与气隙断口并联的含永磁体磁支路，所述磁性元件的气隙断口的磁阻小于与之并联的含永磁体磁支路的磁阻5倍以上。本发明可以有效提高磁性元件磁芯抗直流电流偏磁能力，提高一定直流偏磁电流下的电感量，或减小磁芯截面积，减小体积或降低工作线圈的用铜量长度和电阻；同时可以克服传统带永磁体磁性元件容易被电流脉冲退磁、永磁体在高频磁通下涡流损耗引起温度升高导致永磁体在高温下容易失效的缺点。

公开(公告)号：CN101801170B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201010110735.1

申请日：2010-02-21

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  陈庆彬 ,  卢增艺

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明涉及一种电场屏蔽体及其制作方法，包括：提供复数根窄导体构成梳状或网格状的电屏蔽平面；在所述复数根窄导体上各取一点，然后相互之间电性连接起来并通过引出线连接到电路上需要的点。本发明能有效地对磁性元件的电场起到屏蔽的作用，却不会带来高频交流磁场在该电屏蔽导体上造成的涡流电流及其引起的损耗，也不会改变磁性元件内部以及周围高频磁场的分布以及磁性元件的磁参数。

公开(公告)号：CN101853729A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010218155.4

申请日：2010-07-06

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  杨海军 ,  卢增艺

IPC: H01F3/00 ,  H01F3/14 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明涉及一种具有永磁偏磁的磁性元件，包括用以形成磁通回路且具有至少一个气隙断口的磁芯，其特征在于：所述磁芯上绕设有工作线圈，所述磁芯的气隙断口至少一侧面上设有一对永磁体，所述永磁体上设有至少一个软磁磁芯，以连通两永磁体，从而形成与气隙断口并联的含永磁体磁支路，所述磁性元件的气隙断口的磁阻小于与之并联的含永磁体磁支路的磁阻5倍以上。本发明可以有效提高磁性元件磁芯抗直流电流偏磁能力，提高一定直流偏磁电流下的电感量，或减小磁芯截面积，减小体积或降低工作线圈的用铜量长度和电阻；同时可以克服传统带永磁体磁性元件容易被电流脉冲退磁、永磁体在高频磁通下涡流损耗引起温度升高导致永磁体在高温下容易失效的缺点。

公开(公告)号：CN201732654U

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201020137212.1

申请日：2010-03-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  杨海军 ,  卢增艺

IPC: H01F27/24 ,  H01F41/02

Abstract: 本实用新型涉及一种具有永磁偏磁的磁性元件，包括用以形成磁通回路且具有至少一个气隙断口的磁芯，其特征在于：所述磁芯上绕设有工作线圈，所述磁芯的气隙断口至少一侧面上设有一对永磁体，所述永磁体上设有至少一个软磁磁芯，以连通两永磁体，从而形成与气隙断口并联的含永磁体磁支路，所述磁性元件的气隙断口的磁阻小于与之并联的含永磁体磁支路的磁阻5倍以上。本实用新型可以有效提高磁性元件磁芯抗直流电流偏磁能力，提高一定直流偏磁电流下的电感量，或减小磁芯截面积，减小体积或降低工作线圈的用铜量长度和电阻；同时可以克服传统带永磁体磁性元件容易被电流脉冲退磁、永磁体在高频磁通下涡流损耗引起温度升高导致永磁体在高温下容易失效的缺点。