一种低掺杂高性能的四方相氧化锆纳米陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116375468B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202310391377.3

    申请日:2023-04-13

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种低掺杂高性能的四方相氧化锆纳米陶瓷及其制备方法,其中氧化锆、氧化钙和氧化钇的摩尔比为97.5:2:0.5。本发明还涉及低掺杂高性能四方相氧化锆陶瓷的制备与对应粉体的制备方法。本发明通过使用反共沉淀‑水热方法,制备出室温下稳定的超细四方相纳米氧化锆粉体,其颗粒尺寸是已有报道中最低的;通过造粒、干压成型并在较低温度下烧结得到低掺杂的高性能氧化锆陶瓷。本发明利用了氧化钙掺杂对晶粒尺寸优异的细化效应,通过得到细晶在低掺杂条件下有效稳定了氧化锆的四方相,同时其优异的力学性能也能够很好的满足氧化锆的应用需求。

    一种镍基配位聚合物的制备及其光催化制氢应用

    公开(公告)号:CN117024767A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311167738.2

    申请日:2023-09-12

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种镍基配位聚合物材料的制备及其光催化制氢应用。其化学式为[Ni5(L)3(μ3‑O)3(H2O)3]·5H2O。该晶体中存在由6个中心团簇和12个L配体组成的环状构筑单元,每个构筑单元中部沿环形分布一圈活性催化位点,且该构筑单元沿c轴方向不断延伸,构建出晶体的三维骨架结构,因此在c轴方向会形成了一个一维的通道,且通道宽度约为半径4.9265Å的圆形。在光催化反应中,该结构的活性位点理想地暴露在通道中,有利于保证光激发态中间体的稳定存在,拉近催化位点与反应底物之间的距离,加快反应效率。在光敏剂和牺牲剂的存在下,该镍基配位聚合物材料在可见光照射下表现出良好的制氢性能。

    一种低掺杂高性能的四方相氧化锆纳米陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116375468A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310391377.3

    申请日:2023-04-13

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种低掺杂高性能的四方相氧化锆纳米陶瓷及其制备方法,其中氧化锆、氧化钙和氧化钇的摩尔比为97.5:2:0.5。本发明还涉及低掺杂高性能四方相氧化锆陶瓷的制备与对应粉体的制备方法。本发明通过使用反共沉淀‑水热方法,制备出室温下稳定的超细四方相纳米氧化锆粉体,其颗粒尺寸是已有报道中最低的;通过造粒、干压成型并在较低温度下烧结得到低掺杂的高性能氧化锆陶瓷。本发明利用了氧化钙掺杂对晶粒尺寸优异的细化效应,通过得到细晶在低掺杂条件下有效稳定了氧化锆的四方相,同时其优异的力学性能也能够很好的满足氧化锆的应用需求。

    一种镍钙配位聚合物的制备及其光催化制氢应用

    公开(公告)号:CN117487181A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311488419.1

    申请日:2023-11-09

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种镍钙配位聚合物的制备及其光催化制氢应用。所述镍钙配位聚合物的化学式为[Ni3Ca3(6‑mna)6(H2O)16]·8H2O,可通过水热法得到黑色晶体,三斜晶系,空间群为P 1(2),晶胞参数a=8.498(2)Å,b=9.977(3)Å,c=15.248(5)Å,α=89.503(7)°,β=83.417(7)°,γ=77.972(7)°,Z=2,晶胞体积V=1255.92(16)Å3。在光催化反应中,该晶体结构中的催化位点稳定存在,能够加快反应速率,在光敏剂和牺牲剂的存在下,该镍钙配位聚合物在可见光以及太阳光的照射下均能表现出良好的制氢性能。

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