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公开(公告)号：CN117383614A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311450963.7
申请日：2023-11-03
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种表面洁净、缺陷可控的单层二硫化钼纳米片的制备方法，属于功能材料合成技术领域。本发明采用钼酸盐为钼源、硫离子为硫源，在弱酸性条件下，通过水热处理使其发生氧化还原反应生成二硫化钼。所得二硫化钼即使在没有任何表面活性剂的情况下，二硫化钼也可以通过超声处理高效地剥离成单层纳米片，因此所获得的单层二硫化钼纳米片具有表面清洁的特点。并且所得单层二硫化钼纳米片包含两种类型的缺陷，即一种是由高价态Mo原子的掺入引起的缺陷，另一种是由于S22‑的掺入而引起的缺陷。通过控制原料中钼源和硫源的比例，可以容易地调节这两种类型缺陷的密度。
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