公开(公告)号：CN115549606A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210765279.7

申请日：2022-06-30

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： 孙瑞峰 ,  S·吴 ,  M·S·约翰逊 ,  V·佩雷拉

IPC: H03F1/32 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213

Abstract: 提供了用于无线通信的双模式功率放大器。在一个实施例中，可以在不同模式下操作的双模式功率放大器包括：第一对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），用于接收和传递恒定包络信号；第二对MOSFET，用于接收和传递可变包络信号，其中第一对MOSFET的第一端子耦合到第二对MOSFET的第一端子，并且第一对MOSFET的第二端子耦合到第二对MOSFET的第二端子；以及耦合到第一对MOSFET和第二对MOSFET的共享MOSFET堆叠。

公开(公告)号：CN119172658A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202410791527.4

申请日：2024-06-19

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： M·科罗格鲁 ,  J·库里 ,  周炎 ,  A·V·卡伊尔 ,  V·佩雷拉

IPC: H04Q1/30

Abstract: 在一个实施例中，设备包括：唤醒无线电装置，其用于响应于在射频(RF)信号中唤醒消息的检测而发出触发信号；以及耦合到唤醒无线电装置的第二无线电装置，所述第二无线电装置用于响应于触发信号的接收而唤醒。所述唤醒无线电装置可以耦合到第二无线电装置而没有实质加载，并且可以配置有堆叠电路以重用电流。

公开(公告)号：CN115913269A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211205511.8

申请日：2022-09-30

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： E·友 ,  A·穆克吉 ,  R·斯里尼瓦桑 ,  V·佩雷拉 ,  Z·王 ,  S·瓦萨迪

IPC: H04B1/40 ,  H04B1/04 ,  H04B1/00

Abstract: 本发明涉及无线电设备的双频带操作。在一个实施例中，一种集成电路包括：第一射频（RF）电路，其被配置成接收和处理具有亚千兆赫（GHz）频率的第一RF信号，以输出第一较低频率信号，并且传输具有亚GHz频率的RF信号；第二RF电路，其被配置成接收和处理具有至少基本上2.4GHz的频率的第二RF信号，以输出第二较低频率信号，并且以至少基本上2.4GHz来传输RF信号；共享模拟电路装置，其耦合到第一RF电路和第二RF电路，所述共享模拟电路装置用于接收第一RF信号或第二RF信号中的至少一个并且输出数字输出信号；以及数字电路，其耦合到所述共享模拟电路，所述数字电路用于从所述数字输出信号恢复消息信息。