公开(公告)号：CN1898860A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480034839.1

申请日：2004-09-23

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： T·J·迪皮斯 ,  S·A·保罗

IPC: H03F3/68

CPC classification number: H03F1/523 ,  H03F1/52 ,  H03F3/189 ,  H03F3/193 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F3/423

Abstract: 本发明的方法和装置提供了一种用于在层叠的RF功率放大器中电隔离开关设备M1，M2的技术，这防止开关设备M1，M2遭受高的击穿电压。所提供的隔离允许功率放大器在集成电路上实现。

公开(公告)号：CN100576727C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200480034839.1

申请日：2004-09-23

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： T·J·迪皮斯 ,  S·A·保罗

IPC: H03F3/68

CPC classification number: H03F1/523 ,  H03F1/52 ,  H03F3/189 ,  H03F3/193 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F3/423

Abstract: 本发明的方法和装置提供了一种用于在层叠的RF功率放大器中电隔离开关设备M1(M1)，M2(M2)的技术，这防止开关设备M1(M1)，M2(M2)遭受高的击穿电压。所提供的隔离允许功率放大器在集成电路上实现。