公开(公告)号：CN108988883B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201810537198.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： N·哈沃克 ,  A·穆克赫吉 ,  J·M·库利

IPC: H04B1/12 ,  H04B1/16

Abstract: 本发明公开了用于具有降低的功耗的射频接收器的装置和相关方法。一种装置包括射频接收器即RF接收器。RF接收器包括由低噪声放大器(LNA)的输出端驱动的单平衡无源混频器以及由单平衡无源混频器的输出端驱动的无源滤波器。RF接收器进一步包括具有产生噪声的输入电阻的可编程增益放大器(PGA)，其中PGA由无源滤波器的输出端驱动，并且由PGA的输入电阻产生的噪声被抑制。

公开(公告)号：CN108988883A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810537198.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： N·哈沃克 ,  A·穆克赫吉 ,  J·M·库利

IPC: H04B1/12 ,  H04B1/16

CPC classification number: H04B1/16 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1466 ,  H03D7/165 ,  H03F3/189 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/165 ,  H03F2200/21 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/336 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/45528 ,  H03G3/001 ,  H03G3/3052 ,  H04B1/0028 ,  H04B1/12

Abstract: 本发明公开了用于具有降低的功耗的射频接收器的装置和相关方法。一种装置包括射频接收器即RF接收器。RF接收器包括由低噪声放大器(LNA)的输出端驱动的单平衡无源混频器以及由单平衡无源混频器的输出端驱动的无源滤波器。RF接收器进一步包括具有产生噪声的输入电阻的可编程增益放大器(PGA)，其中PGA由无源滤波器的输出端驱动，并且由PGA的输入电阻产生的噪声被抑制。

公开(公告)号：CN112702026A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011123776.4

申请日：2020-10-20

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： L·潘塞里 ,  M·H·葛劳哥伦 ,  P·万加拉 ,  J·M·库利

IPC: H03F3/189 ,  H03F3/20

Abstract: 本发明公开了具有改善的性能的射频放大器的装置及相关方法。一种装置包括射频(RF)电路，该RF电路包括功率放大器，该功率放大器经耦合以接收RF输入信号并响应于修改后的偏置信号提供RF输出信号。该RF电路进一步包括偏置路径电路，该偏置路径电路经耦合以根据输入信号的特性来修改偏置信号，以生成修改后的偏置信号。偏置路径电路将修改后的偏置信号提供给功率放大器。

公开(公告)号：CN111327313A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911139170.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： J·M·库利

IPC: H03L7/099

Abstract: 本申请公开了用于数控振荡器的装置及相关方法。一种装置包括数控振荡器(DCO)，所述数控振荡器包括与第一电容器串联耦接的电感器。所述DCO还包括：与所述串联耦接的电感器和第一电容器并联耦接的第二电容器；与所述第二电容器并联耦接的第一反相器；以及背对背耦接到所述第一反相器的第二反相器。所述DCO还包括用于改变所述第一电容器的电容的数模转换器(DAC)。

公开(公告)号：CN111327313B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201911139170.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： J·M·库利

IPC: H03L7/099

Abstract: 本申请公开了用于数控振荡器的装置及相关方法。一种装置包括数控振荡器(DCO)，所述数控振荡器包括与第一电容器串联耦接的电感器。所述DCO还包括：与所述串联耦接的电感器和第一电容器并联耦接的第二电容器；与所述第二电容器并联耦接的第一反相器；以及背对背耦接到所述第一反相器的第二反相器。所述DCO还包括用于改变所述第一电容器的电容的数模转换器(DAC)。

公开(公告)号：CN108259060A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711334878.9

申请日：2017-12-14

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： D·L·戈夫 ,  J·M·库利 ,  M·克鲁古鲁 ,  A·科本 ,  R·肯尼-蒲福德

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H04B1/40 ,  H04B1/18

Abstract: 本申请公开了一种具有集成天线控制的射频设备和相关联的方法。该设备包括第一集成电路(IC)，该第一IC包括用于处理RF信号的第一射频(RF)电路、用于耦合到一个或更多个天线的第一天线端口，和集成在第一IC中并耦合到第一个天线端口的第一开关。该设备进一步包括第二IC，该第二IC包括用于处理RF信号的第二RF电路、耦合到一个或更多个天线的第二天线端口，和集成在第二IC中并耦合到第二天线端口的第二开关。

公开(公告)号：CN106559099A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610860573.0

申请日：2016-09-28

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： J·M·库利 ,  M·克鲁古鲁 ,  A·科本 ,  R·肯尼-蒲福德

IPC: H04B1/40 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01Q1/50 ,  H04B1/18 ,  H04B7/02 ,  H04B7/0805 ,  H04B1/40 ,  H01Q23/00

Abstract: 本申请涉及具有集成天线控制的射频装置及其相关方法。一种装置包括集成电路(IC)，该IC包括：射频(RF)电路，用来处理RF信号，以及具有第一端口和第二端口的平衡不平衡变换器。第一开关和第二开关被耦合到平衡不平衡变换器的第二端口。平衡不平衡变压器的第一端口被耦合到RF电路。