公开(公告)号：CN111384007B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201910567986.3

申请日：2019-06-27

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： E·J·诺伯格 ,  N·达尔凡德 ,  G·A·菲什

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/868 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及PIN二极管中的高效散热。可以用热传导通孔来减少集成在绝缘体上半导体衬底上的p‑i‑n二极管的热阻抗，该热传导的通孔使热量跨热屏障分流，该热屏障诸如例如通常封装p‑i‑n二极管的厚的顶氧化物包层。在各种实施例中，一个或多个热传导通孔从本征二极管层的顶表面延伸至连接至二极管的掺杂的顶层的金属结构，和/或从该金属结构向下至少延伸至衬底的半导体器件层。

公开(公告)号：CN110221388A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201811646448.5

申请日：2018-12-29

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： N·达尔凡德 ,  E·J·诺伯格 ,  B·R·科赫

IPC: G02B6/293 ,  H04J14/02 ,  H04B10/60

Abstract: 描述了用于放大光学解多路复用器的各种配置。各种实施例可以接收包括多个子信号的输入信号，并且分离并放大解多路复用器内的信号。一些实施例包括具有被定位在第一级与第二级之间的放大器的多级解多路复用器。一些实施例包括具有被定位在第二级与第三级之间的放大器的多级解多路复用器。

公开(公告)号：CN111384007A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910567986.3

申请日：2019-06-27

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： E·J·诺伯格 ,  N·达尔凡德 ,  G·A·菲什

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/868 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及PIN二极管中的高效散热。可以用热传导通孔来减少集成在绝缘体上半导体衬底上的p-i-n二极管的热阻抗，该热传导的通孔使热量跨热屏障分流，该热屏障诸如例如通常封装p-i-n二极管的厚的顶氧化物包层。在各种实施例中，一个或多个热传导通孔从本征二极管层的顶表面延伸至连接至二极管的掺杂的顶层的金属结构，和/或从该金属结构向下至少延伸至衬底的半导体器件层。

公开(公告)号：CN114265198A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202011443328.2

申请日：2020-12-08

Applicant: 瞻博网络公司

Inventor： N·达尔凡德 ,  E·J·诺伯格

IPC: G02B27/00 ,  G02B6/122

Abstract: 用于波导过渡的制造容错的非线性波导锥可以通过如下被设计：对于表征波导过渡的参数值的多个集合(例如，标称参数值的集合和与工艺拐角相关联的参数值的集合，工艺拐角表示来自标称参数值的工艺变化)中的每个集合，将与波导过渡相关联的散射率作为波导锥的波导宽度的函数进行计算；确定所计算的宽度相关散射率的包络；以及基于包络计算波导锥的非线性锥轮廓。对于参数值的多个集合，可以进一步计算性地仿真沿着波导过渡的光传播和耦合，以确定与针对指定锥长度的波导过渡相关联的最小传输值，和/或确定最小锥长度，在最小锥长度处，与波导过渡相关联的传输值超过指定的阈值传输值。