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公开(公告)号：CN113594188A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010610915.X
申请日：2020-06-29
Applicant: 瞻博网络公司
IPC: H01L27/144 , H01L23/48 , H01L21/48
Abstract: 本公开的实施例涉及针对集成器件的射频损失减少。在绝缘体上半导体(例如，硅基)衬底上集成的射频(RF)器件中，可以通过增加RF器件的金属化结构(例如，传输线、触点或键合焊盘)附近(例如，下方和/或整体或部分包围)的半导体器件层的电阻率来减小RF损失。增加的电阻率可以例如通过离子注入或通过图案化器件层以创建断开连接的半导体岛来实现。
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