公开(公告)号：CN1864269A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN03811571.9

申请日：2003-05-20

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： J·佩特鲁泽尔洛 ,  B·杜福特 ,  T·J·勒塔韦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H02H9/04 ,  G01R19/04 ,  G01R19/12

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7826

Abstract: 本发明提供了一种SOI－LDMOS型半导体器件，其中将场板划分为多个电隔离的子场板。其中至少两个划分的子场板连接到外部电路以读出其各自的输出电压。通过连接具有特定元件的第一外部电路和第二外部电路，将一个电路构造为用来确定瞬时输出电压，而将另一个电路构造为用来确定输出电压作为时间函数的变化。如果瞬时输出电压或者电压对时间的导数超过所设定的值，则将半导体器件与电源断开。