公开(公告)号：CN101868836A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880116889.2

申请日：2008-11-17

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： B·P·A·J·霍恩阿尔特 ,  G·维斯英克 ,  T·普尔特

IPC: G21K1/00

CPC classification number: G21K1/00

Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器(3)，其包括具有探测器元件(51)的周期性图案的探测器阵列(5)。每个探测器元件(51)包括用于将入射辐射转化成电荷的传感器元件(53)。传感器元件(53)以传感器中心距隔开。在探测器阵列(5)上设置成像辐射校准结构(7)。成像辐射校准结构具有辐射吸收元件的周期性图案，所述辐射吸收元件以校准器中心距隔开。辐射探测器(3)包括用于从电荷产生组合器信号的组合器，所述电荷来自在辐射吸收元件的图案的周期方向上相邻的偶数个传感器元件构成的组中的传感器元件(53)。校准器中心距约等于相邻传感器元件的构成的组的中心距的两倍。辐射探测器(3)还包括低通滤波器，该低通滤波器用于接收组合器信号并且抑制组合器信号的频率等于或高于与校准器中心距对应的校准器频率的分量，从而提供一种比已知辐射探测器更易制造，成像辐射校准结构的辐射吸收元件的定位精度相对低，在通过该探测器成像的物体图像中不引入可见的莫尔效应的辐射探测器。

公开(公告)号：CN101868836B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200880116889.2

申请日：2008-11-17

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： B·P·A·J·霍恩阿尔特 ,  G·维斯英克 ,  T·普尔特

IPC: G21K1/00

CPC classification number: G21K1/00

Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器(3)，其包括具有探测器元件(51)的周期性图案的探测器阵列(5)。每个探测器元件(51)包括用于将入射辐射转化成电荷的传感器元件(53)。传感器元件(53)以传感器中心距隔开。在探测器阵列(5)上设置成像辐射校准结构(7)。成像辐射校准结构具有辐射吸收元件的周期性图案，所述辐射吸收元件以校准器中心距隔开。辐射探测器(3)包括用于从电荷产生组合器信号的组合器，所述电荷来自在辐射吸收元件的图案的周期方向上相邻的偶数个传感器元件构成的组中的传感器元件(53)。校准器中心距约等于相邻传感器元件的构成的组的中心距的两倍。辐射探测器(3)还包括低通滤波器，该低通滤波器用于接收组合器信号并且抑制组合器信号的频率等于或高于与校准器中心距对应的校准器频率的分量，从而提供一种比已知辐射探测器更易制造，成像辐射校准结构的辐射吸收元件的定位精度相对低，在通过该探测器成像的物体图像中不引入可见的莫尔效应的辐射探测器。