超声薄膜换能器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1649678A

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:CN03809931.4

    申请日:2003-04-28

    CPC classification number: H01L27/20 B06B1/0688 G10K13/00

    Abstract: 本发明涉及用于微制作的薄膜超声换能器的结构,以及制造此结构的方法。在一个实施方案中,换能器包括具有压电材料的平坦部件,和设置在平坦部件上且耦合到压电材料的间隔开的电极,用来将电场施加到此层,以及连接到电极的吸声背衬部件。在另一实施方案中,换能器包括具有邻接半导体材料的压电材料的平坦部件,此半导体材料具有单片地形成在层中且耦合到压电材料的有源电路。在另一个实施方案中,换能器包括具有压电材料的平坦部件,以及具有单片形成的有源电路的半导体材料邻接层的吸声背衬部件,此有源电路被耦合到电极。

    超声薄膜换能器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100438992C

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN03809931.4

    申请日:2003-04-28

    CPC classification number: H01L27/20 B06B1/0688 G10K13/00

    Abstract: 本发明涉及用于微制作的薄膜超声换能器的结构,以及制造此结构的方法。在一个实施方案中,换能器包括具有压电材料的平坦部件,和设置在平坦部件上且耦合到压电材料的间隔开的电极,用来将电场施加到此层,以及连接到电极的吸声背衬部件。在另一实施方案中,换能器包括具有邻接半导体材料的压电材料的平坦部件,此半导体材料具有单片地形成在层中且耦合到压电材料的有源电路。在另一个实施方案中,换能器包括具有压电材料的平坦部件,以及具有单片形成的有源电路的半导体材料邻接层的吸声背衬部件,此有源电路被耦合到电极。

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