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公开(公告)号：CN101529316A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039933.X
申请日：2007-10-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： E·I·哈斯卡尔
IPC: G02F1/1333 , H01L21/77 , H01L27/32 , G02F1/1362 , G02F1/167
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , G02F1/1362 , G02F1/167 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L51/0097 , Y10T428/24802 , Y10T428/24942
Abstract: 一种制造薄膜电子器件的方法，包括使用湿法铸造工艺施加塑料涂层到刚性载体衬底(2)上，该塑料涂层形成塑料衬底(22)。该塑料材料的热膨胀系数在垂直于衬底平面的第一方向上比在平行于衬底平面的第二方向上更大。在塑料衬底上形成薄膜电子元件，且通过加热工艺将刚性载体衬底从塑料衬底释放，该加热工艺优选在垂直于衬底平面的方向上扩展塑料衬底。在本发明的塑料衬底上热膨胀的各向异性使在热剥离(lift－off)工艺期间衬底能够在垂直方向上扩展。已经发现，这有助于该剥离工艺并且还保护了安装在塑料衬底的上表面上的部件。
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公开(公告)号：CN101529316B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200780039933.X
申请日：2007-10-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： E·I·哈斯卡尔
IPC: G02F1/1333 , H01L21/77 , H01L27/32 , G02F1/1362 , G02F1/167
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , G02F1/1362 , G02F1/167 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L51/0097 , Y10T428/24802 , Y10T428/24942
Abstract: 一种制造薄膜电子器件的方法，包括使用湿法铸造工艺施加塑料涂层到刚性载体衬底(2)上，该塑料涂层形成塑料衬底(22)。该塑料材料的热膨胀系数在垂直于衬底平面的第一方向上比在平行于衬底平面的第二方向上更大。在塑料衬底上形成薄膜电子元件，且通过加热工艺将刚性载体衬底从塑料衬底释放，该加热工艺优选在垂直于衬底平面的方向上使塑料衬底膨胀。在本发明的塑料衬底上热膨胀的各向异性使在热剥离(lift-off)工艺期间衬底能够在垂直方向上膨胀。已经发现，这有助于该剥离工艺并且还保护了安装在塑料衬底的上表面上的部件。
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公开(公告)号：CN1969402A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580019530.X
申请日：2005-06-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/5262 , H01L51/5275
Abstract: 本发明涉及一种LED，其包括基板(10)、第一电极层以及位于基板和第一电极层之间的薄胶体层(20)，其中该LED还包括位于胶体层内部和/或位于胶体层和第一电极层之间的平滑装置，使得胶体层与第一电极层相对的外表面的粗糙度Ra≤30nm且Ra≥1nm，优选Ra≤10nm且Ra≥3nm，并且更优选Ra≤5nm且Ra≥3nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101006384A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580028319.4
申请日：2005-07-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1365 , G02F1/167
CPC classification number: G02F1/1365 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/167
Abstract: 一种有源矩阵装置，具有在公共基板上的象素的行和列的阵列。每个象素具有行导体(12)、列导体(10)以及第一和第二平面电极图形(36、40)。第一绝缘体部分(30)位于行导体(12)和第一电极图形(32)之间或位于列导体部分(10)和第二电极图形(40)之间。绝缘体部分(30)和周围电极图形(32或40)以及导体部分(12或10)定义了金属－绝缘体－金属二极管装置。本发明提供一种基于MIM二极管的有源矩阵平面转换的有源矩阵装置，其中象素布局被限定在单个的基板上。本发明的装置适合于低成本的制造过程，例如卷装进出制造方法。
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公开(公告)号：CN100555701C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200580019530.X
申请日：2005-06-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/5262 , H01L51/5275
Abstract: 本发明涉及一种LED，其包括基板(10)、第一电极层以及位于基板和第一电极层之间的薄胶体层(20)，其中该LED还包括位于胶体层内部和/或位于胶体层和第一电极层之间的平滑装置，使得胶体层与第一电极层相对的外表面的粗糙度Ra≤30nm且Ra≥1nm，优选Ra≤10nm且Ra≥3nm，并且更优选Ra≤5nm且Ra≥3nm。
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公开(公告)号：CN1950872A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580015024.3
申请日：2005-05-04
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0809 , G09G2300/0814 , G09G2300/0823 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2300/0866 , G09G2310/0262 , G09G2320/02 , G09G2320/043 , G09G2380/02
Abstract: 互补晶体管(例如，p沟道TFT晶体管(16)和n沟道TFT晶体管(17))被用于驱动像素电路(10)中的晶体管。一旦弯曲，它们以相反的方式变化，一个具有较少的(漏极)电流，另一个具有较大的(漏极)电流，并且整体上将减少影响。
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公开(公告)号：CN103219285A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310143784.9
申请日：2007-08-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及具有塑料基底的有源矩阵显示器和其他电子器件。制造薄膜电子器件的方法，包括使用湿法流延方法将塑料涂层施加到刚性载体基底上，该塑料涂层形成塑料基底并且包括透明塑料材料和UV吸收添加剂。在所述塑料基底上形成薄膜电子元件，并且从所述塑料基底释放刚性载体基底。通过用UV吸收剂掺杂基底的塑料材料，本发明提供了适用于激光释放方法的制造透明基底材料的方法。这种UV吸收剂在剥离激光的波长(例如308-351nm，或355nm)内以非常高的吸收进行吸收。
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公开(公告)号：CN101501832A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029807.6
申请日：2007-08-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/77 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L29/78603
Abstract: 制造薄膜电子器件的方法，包括使用湿法流延方法将塑料涂层施加到刚性载体基底上，该塑料涂层形成塑料基底并且包括透明塑料材料和UV吸收添加剂。在所述塑料基底上形成薄膜电子元件，并且从所述塑料基底释放刚性载体基底。通过用UV吸收剂掺杂基底的塑料材料，本发明提供了适用于激光释放方法的制造透明基底材料的方法。这种UV吸收剂在剥离激光的波长(例如308－351nm，或355nm)内以非常高的吸收进行吸收。
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