公开(公告)号：CN1555342A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN02818135.2

申请日：2002-09-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·R·巴科内德 ,  F·K·德特杰 ,  J·C·克里格

IPC: C01B37/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C01B37/02 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695

Abstract: 通过在衬底上施加含有烷氧基硅烷、表面活性剂和溶剂的组合物，并且随后除去表面活性剂和溶剂可以获得具有中孔二氧化硅层的电子器件。如果该组合物含有四烷氧基硅烷特别是四乙氧基原硅酸酯(TEOS)和芳基取代的烷氧基硅烷特别是苯基取代的、甲基取代的或者是烷基取代的三烷氧基硅烷的混合物，则不需要传统的去羟基化处理。如果两种硅烷的摩尔比大约为1∶1，则可以获得介电常数为2.5或者更小的层。

公开(公告)号：CN1313371C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN02818135.2

申请日：2002-09-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·R·巴科内德 ,  F·K·德特杰 ,  J·C·克里格

IPC: C01B37/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C01B37/02 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695

Abstract: 通过在衬底上施加含有烷氧基硅烷、表面活性剂和溶剂的组合物，并且随后除去表面活性剂和溶剂可以获得具有中孔二氧化硅层的电子器件。如果该组合物含有四烷氧基硅烷特别是四乙氧基原硅酸酯(TEOS)和芳基取代的烷氧基硅烷特别是苯基取代的、甲基取代的或者是烷基取代的三烷氧基硅烷的混合物，则不需要传统的去羟基化处理。如果两种硅烷的摩尔比大约为1∶1，则可以获得介电常数为2.5或者更小的层。