公开(公告)号：CN115621342A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211298993.6

申请日：2022-10-24

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 李雨晗 ,  徐浩 ,  李潇 ,  李明钰 ,  皇甫学丰 ,  王子晨 ,  黄智宇

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、制备方法及其应用，所述光电晶体管自下而上包括：底栅，介电层，沟道导电层，源电极和漏电极，所述源电极和漏电极位于沟道导电层两侧。传统的制备流程生长的三元合金薄膜通常呈现固定的组分，往往需要薄膜转移工艺(干法转移、湿法转移等)来进一步构建异质/同质结。本发明制作的MoS2(1‑x)Se2x光电晶体管采用化学溶液沉积法(CSD)一步沉积在硅衬底上，形成有边缘向中心具有厚度渐变和Se组分渐变特点的薄膜，从而得到平面内同质结和强内建电场。相比传统方法，极大简化了制备流程，降低了器件制备的复杂度，并提高了器件性能。