公开(公告)号：CN116935999A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310897521.0

申请日：2023-07-20

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 肖海燕 ,  李步达 ,  李梦璐

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种Cl掺杂对硒氧化铋力学性能影响的测定方法，包括以下步骤：对理想环境下的材料进行几何结构优化，获得优化后的晶胞结构；以扩胞后优化的结构作为初始结构，利用Cl原子替代Se位置的原子，得到掺杂态的结构模型，再进行结构优化；采用应力‑应变的方法计算出Cl掺杂前后硒氧化铋的弹性常数，并判断其力学稳定性，接着估算Cl掺杂前后硒氧化铋的体模量、剪切模量、杨氏模量和延展性的变化情况。本发明的Cl掺杂对硒氧化铋力学性能影响的测定方法不涉及具体的实验过程，但是最终的计算结果却可以为相关的实验提供理论指导。本发明计算过程基于第一性原理方法，相关的理论方法已经相当完备，因此该计算结果具有可靠性。

公开(公告)号：CN115440319A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210942159.X

申请日：2022-08-03

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 肖海燕 ,  靳若砚 ,  李梦璐

IPC: G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G06F30/20 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明属于材料结构非晶化技术领域，提供了一种模拟材料结构非晶化的新方法。包括：对理想环境下的材料进行从头算分子动力学模拟，得到模拟后的晶胞结构；采用相同的模拟温度和模拟时间，改变体系的电子激发浓度，对材料进行从头算分子动力学模拟；获取模拟过程中体系的温度和能量的变化趋势，判断模拟后体系的温度和能量是否达到平衡；若所述体系的温度和能量达到平衡，则利用Ovito Basic软件获取所述体系中原子径向分布函数；否则，回到开始的步骤，延长模拟时间再次进行模拟，直至经过从头算分子动力学模拟后体系的温度和能量达到平衡。本发明操作简单，成本低，易于实现，适合推广应用。

公开(公告)号：CN115440319B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202210942159.X

申请日：2022-08-03

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 肖海燕 ,  靳若砚 ,  李梦璐

IPC: G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G06F30/20 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明属于材料结构非晶化技术领域，提供了一种模拟材料结构非晶化的新方法。包括：对理想环境下的材料进行从头算分子动力学模拟，得到模拟后的晶胞结构；采用相同的模拟温度和模拟时间，改变体系的电子激发浓度，对材料进行从头算分子动力学模拟；获取模拟过程中体系的温度和能量的变化趋势，判断模拟后体系的温度和能量是否达到平衡；若所述体系的温度和能量达到平衡，则利用Ovito Basic软件获取所述体系中原子径向分布函数；否则，回到开始的步骤，延长模拟时间再次进行模拟，直至经过从头算分子动力学模拟后体系的温度和能量达到平衡。本发明操作简单，成本低，易于实现，适合推广应用。

公开(公告)号：CN115662542A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211220111.4

申请日：2022-09-28

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 肖海燕 ,  李步达 ,  李梦璐

IPC: G16C60/00

Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，公开了一种W掺杂对Bi2O2Se热电性能影响的测定方法及系统，对理想环境下的材料进行几何结构优化，获得优化后的晶胞结构；基于扩胞后优化的结构作为初始结构，利用W原子替代Bi位置的原子，得到掺杂浓度为2.5％的Bi1.975W0.025O2Se的结构模型，再进行结构优化；采用BoltzTraP程序进行电子输运性质的计算，获得塞贝克系数和电导率/弛豫时间。本发明的W掺杂对Bi2O2Se热电性能影响的测定方法不涉及具体的实验过程，但是最终的计算结果却可以为相关的实验提供理论指导。本发明计算过程基于第一性原理方法，相关的理论方法已经相当完备，因此该计算结果具有可靠性。

公开(公告)号：CN114218759A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111405061.2

申请日：2021-11-24

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 肖海燕 ,  李梦璐

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明提供了一种基于密度泛函理论预测高压环境下钙钛矿材料热电性能的方法，包括以下步骤：步骤1，对材料进行结构优化，获得优化后的晶胞结构；步骤2，基于步骤1中优化的结构作为初始结构，再进行结构优化，获得模型；步骤3，结构优化计算完成后进行材料的自洽计算，从而获得材料的电子输运性质；步骤4，基于步骤3得到的结果，估算材料在高压环境下的功率因子。本发明方法在整个过程中不涉及实验和不使用化学用品，不产生化学污染，符合绿色环保理念；且本发明成本较低、操作简单、准确性高、应用广泛且重复性好，易于实现，适合推广应用。