公开(公告)号：CN118522343A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410469576.6

申请日：2024-04-18

Applicant: 电子科技大学 ,  喀什地区电子信息产业技术研究院

Inventor： 朱钦圣 ,  胡帮勋 ,  李晓瑜 ,  钱伟中 ,  黄娟 ,  田序伟 ,  余莲会

IPC: G16B20/00 ,  G16B15/30 ,  G16B40/00

Abstract: 本发明公开了基于小样本学习的蛋白质‑靶点亲和力预测方法、系统、存储介质及终端，属于蛋白质预测技术领域，包括：S1、蛋白质序列特征提取；S2、药物靶点SMILES码特征提取；S3、融合步骤S1和步骤S2中提取的特征数据，得到蛋白质‑靶点特征数据；S4、构建蛋白质‑靶点亲和力预测模型，并使用所述蛋白质‑靶点特征数据对所述蛋白质‑靶点亲和力预测模型进行训练；其中，将所述蛋白质‑靶点特征数据划分为训练集、验证集和测试集；训练过程中，使用验证集补充训练集的方式进行动态训练，当验证集数量降到一定阈值时，停止补充训练集；S5、将测试集数据放入已训练好的蛋白质‑靶点亲和力预测模型中，得到蛋白质‑靶点亲和力预测结果。本发明能够有效解决在蛋白质‑靶点亲和力预测过程中，因训练样本过少而造成的过拟合问题，同时可以为小样本学习问题中抵御过拟合风险提供新的视角。

公开(公告)号：CN1630092A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200310104015.4

申请日：2003-12-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张波 ,  陈林 ,  李肇基 ,  黄娟 ,  郭宇锋

IPC: H01L29/00

Abstract: 本发明提供的一种具有表面横向3D－RESURF层的新型功率器件，它是在功率器件表面引入高掺杂的3D－RESURF层，所述的表面横向3D－RESURF层结构是由导电类型相反的半导体区域4和半导体区域5相间排列而成，半导体区域4和半导体区域5的交接面与所述功率器件工作时的表面电压降方向平行。通过提供一个低电阻通道来降低器件的导通损耗，与普通的功率器件相比，可以达到同等耐压下导通电阻降低50％以上的目的，同时，它具有导通电阻对表面电荷不敏感和与VLSI工艺兼容的特点。