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公开(公告)号：CN114442030A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111655925.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 电子科技大学 , 中国舰船研究设计中心
Abstract: 本发明公开了一种超宽带来波信号测频测向接收机，属于无源定位领域。该接收机包括多路天线通道、硬件采样驱动模块以及解算上位机；每个天线通道包括宽带天线和高速AD芯片。本发明通过采用多个天线及高速AD芯片对来波信号进行解算，宽带接收机中高速AD芯片的采样率取决于来波信号的最高频率，因此对高速的AD芯片采样率有更高要求。本发明相较于传统的宽带接收机的测试方法，不需要对本振对来波信号进行下变频及滤波，既节省了成本，又降低了接收回路的功耗，使得本方案的适用性大大提高。另外，相比于传统宽带接收机，得益于天线的高增益及高速AD的高采样率，本发明可以有效减小测频侧向的误差，从而可以更加准确的对来波信号进行分析。
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公开(公告)号：CN114325566B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111623202.8
申请日：2021-12-28
Applicant: 电子科技大学 , 中国舰船研究设计中心
IPC: G01S3/14
Abstract: 本发明公开了一种超宽带来波信号测频测向布阵方法及其计算方法，其中布阵方法包括确定超宽带干涉仪测频测向指标、确定最短无模糊虚拟基线长度、相邻虚拟基线之间长度比值上限、最长虚拟基线与最短实基线长度比值上限以及相邻实基线长度比值上限、推导布阵所需参数，以及根据推导结果排布出满足规定的测频测向指标的超宽带干涉仪测频测向天线阵；该布阵方法可解决干涉仪测向模糊问题的同时，还能降低高频情况下的布阵复杂度。另外，本发明给出的超宽带来波信号测频测向计算方法基于干涉仪测向原理的相位差解模糊和测频测向处理方法实现，弥补了现有干涉仪设计方法很少有公式给出天线阵参数与测频测向性能指标之间地解析关系。
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公开(公告)号：CN114325566A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111623202.8
申请日：2021-12-28
Applicant: 电子科技大学 , 中国舰船研究设计中心
IPC: G01S3/14
Abstract: 本发明公开了一种超宽带来波信号测频测向布阵方法及其计算方法，其中布阵方法包括确定超宽带干涉仪测频测向指标、确定最短无模糊虚拟基线长度、相邻虚拟基线之间长度比值上限、最长虚拟基线与最短实基线长度比值上限以及相邻实基线长度比值上限、推导布阵所需参数，以及根据推导结果排布出满足规定的测频测向指标的超宽带干涉仪测频测向天线阵；该布阵方法可解决干涉仪测向模糊问题的同时，还能降低高频情况下的布阵复杂度。另外，本发明给出的超宽带来波信号测频测向计算方法基于干涉仪测向原理的相位差解模糊和测频测向处理方法实现，弥补了现有干涉仪设计方法很少有公式给出天线阵参数与测频测向性能指标之间地解析关系。
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公开(公告)号：CN118399917A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410198011.9
申请日：2024-02-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H7/25 , H01P1/22 , G06F30/3308
Abstract: 本发明属于微波技术领域，具体涉及一种衰减量连续可调的压控衰减器，包括印制电路板PCB、过渡结构、以及直流电引脚。印制电路板PCB上设有传输线、两个接地结构、PIN二极管、芯片电容、金丝、以及锥形电感；其中，PIN二极管、芯片电容、以及金丝形成一个整体，称为第一组件；通过控制第一组件中PIN二极管的电压连续变化，使PIN二极管的等效电阻产生连续变化，实现压控衰减器的衰减量连续可调，配合在第一组件中引入金丝，并利用金丝呈现的电感性能，对PTN二极管的寄生电容进行补偿，使其具有了更好的回波损耗和更宽的工作频带。
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公开(公告)号：CN114725638B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210449584.5
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26
Abstract: 本发明公开了一种基于锥状抛物反射面的大功率水负载装置，包括圆筒形的反射屏蔽层，设置于反射屏蔽层两端的上端盖、下端盖，同轴设置于反射屏蔽层内部的馈源入射结构，均匀紧密排布的吸波液体通道，其中上端盖的内侧反射面为旋转对称的锥状抛物反射面。当微波从馈源入射结构馈入，经过上端盖的锥状抛物反射面发生第一次反射，由于反射面独特的结构和半径高度比，仅有极少数反射回馈源入射结构端口，其余部分微波向四周反射；在微波反射腔体内经过一次或多次的反射，最终被流动冷却水介质吸收。本发明装置在实现微波低反射的同时，又能够达到千瓦甚至兆瓦的功率容量，满足大功率微波器件的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113206387B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110434865.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00 , H01Q15/14 , H01Q19/185 , G02B17/06 , G02B27/10
Abstract: 本发明公开了一种宽带宽的太赫兹准光和差比较器，属于属于准光单脉冲天线技术领域。该和差比较器包括和输入端口、差输入端口、光栅分束器、4个反射镜、两个输出端口。本发明方案能够解决现有准光和差比较器由于路程差异大导致带宽窄的问题，而且由于反射和透射路程差仅为λ/4，两个输出端口的波束束斑几乎一样大，有效的提高了和差比较器的和差辐射特性。
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公开(公告)号：CN114725638A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210449584.5
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26
Abstract: 本发明公开了一种基于锥状抛物反射面的大功率水负载装置，包括圆筒形的反射屏蔽层，设置于反射屏蔽层两端的上端盖、下端盖，同轴设置于反射屏蔽层内部的馈源入射结构，均匀紧密排布的吸波液体通道，其中上端盖的内侧反射面为旋转对称的锥状抛物反射面。当微波从馈源入射结构馈入，经过上端盖的锥状抛物反射面发生第一次反射，由于反射面独特的结构和半径高度比，仅有极少数反射回馈源入射结构端口，其余部分微波向四周反射；在微波反射腔体内经过一次或多次的反射，最终被流动冷却水介质吸收。本发明装置在实现微波低反射的同时，又能够达到千瓦甚至兆瓦的功率容量，满足大功率微波器件的要求。
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公开(公告)号：CN114664616A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210291431.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于全腔耦合结构锁频锁相的轴向级联相对论磁控管，属于微波技术领域。该磁控管包括若干个结构相同、轴向级联的高频系统；相邻高频系统之间设置有环形柱状隔离结构；阳极外壳的外侧设置有全腔耦合结构外壳；全腔耦合结构外壳与阳极外壳之间的环形柱状腔体通过4个扇形插片分隔为4个尺寸相同的扇形波导腔；扇形波导腔的两端设置有线性过渡结构，线性过渡结构的另一端连接矩形波导；耦合缝隙将谐振腔中的能量耦合至4个扇形波导腔，最终从8个矩形波导输出。本发明相邻高频系统谐振腔中的电磁场通过全腔耦合结构实现耦合，强化了级联锁相的效果；全腔提取和多端口轴向输出，提高了径向空间紧凑性，还提高了模式纯度和工作稳定性。
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公开(公告)号：CN113193320B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110423503.X
申请日：2021-04-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明涉及微波毫米波技术，具体涉及一种基于微波电阻的步进式基片集成波导均衡器。本发明通过在SIW本体中设置贯通表面金属层的槽，在槽中引入多个微波电阻增加传播通道上的损耗，当电磁波在SIW本体中以TE10模传播的时候，在槽中加入的微波电阻，就能在传播TE10模的同时对信号进行一定程度的衰减，而这种衰减和工作频率密切相关。由于均衡器提供的均衡值与设置微波电阻的数量近似成正比，因此通过调控微波电阻的数量，以实现步进式均衡特性。本发明SIW均衡器可用于微波、毫米波电路和系统中，对不同频率的信号进行不同的衰减以实现均衡效果，并且还可通过调整SIW本体长宽边的尺寸比例以实现不同频段的应用调整。
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公开(公告)号：CN109710972B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201811395072.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种半模基片集成波导(HMSIW)放大模块。本发明实现在半模基片集成波导本体中，在与电磁场传播的垂直方向的HMSIW本体中线处开一条槽线，并在虚拟磁壁一侧安装放大器，通过金丝跳线输入放大器，经过放大器放大后，再通过金丝跳线输出到另一边的HMSIW传输线。本发明在一定频段内，可以使HMSIW特性阻抗与放大器输入输出阻抗匹配，从而可以省去HMSIW与放大器之间的匹配网络，进而简化电路的结构，减小电路的尺寸。
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