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公开(公告)号：CN119961789A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510437136.7
申请日：2025-04-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F18/2415 , G06F18/10 , G06F18/213 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明属于运动想象脑电信号分类技术领域，提供一种基于多尺度特征的3D卷积神经网络的运动想象脑电信号分类方法，采集运动想象脑电信号数据；预处理所述运动想象脑电信号数据；对所述三维张量进行空间特征提取，获得空间特征L；对所述空间特征L进行时间特征提取，获得时间特征；对所述时间特征进行分类。本发明综合提取空间和时间域的多尺度特征，可以在空间和时间域中定义MI EEG的新的紧凑特征表示，并防止生物和环境伪影的影响，以提高分类性能。
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公开(公告)号：CN109100900B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810810074.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明属于半导体器件及非线性光学应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明将用于半导体存储行业的HfO2基铁电材料作为非线性光学材料应用于非线性光学元器件，利用铁电材料具有自发极化特性，并且自发极化可随外电场进行反转并在断电时仍可保持的先天非线性光学性能。还利用所设计的器件金属结构将电场局域在铁电HfO2层，从而得到更强的二次谐波激发，具有优异的CMOS兼容性和突出的可小型化能力，在更广的温度范围内具有更高的稳定性。可应用于电光开光、激光调频、传感检测等领域。对发展具有半导体兼容性且可小型化的光学元器件具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN109164400B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810994328.8
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种基于自旋泵浦‑逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及探测方法，利用磁控溅射镀膜工艺和光刻工艺在3个SiO2基片上分别制备完全相同的n个串联的条状Py/Ta复合双层薄膜，薄膜的长宽比值在200以上，薄膜内的微波感应电流被限制在薄膜的长边方向；3个基片彼此互相垂直，且3个基片的公共顶点与原点重合；对于每个SiO2基片，都施加一个与薄膜长边垂直且从0开始增大的直流磁场，此磁场增大到某值a后，再从0开始增大到a，此过程一直循环，通过测量3个SiO2基片上串联的条状薄膜两端的电压得到空间微波磁场在x、y、z方向上的分量hx、hy、hz，本发明可以一次性测量空间微波磁场矢量，并且通过串联的方式增大逆自旋霍尔电压信号，大大提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN106783531A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611033497.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02181 , C01G27/02 , C01P2002/72
Abstract: 本发明属于半导体器件及空间技术应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明提供了的HfO2基铁电材料使用方法，基于HfO2基铁电材料具有极强的抗辐照能力，在辐照环境下可以保证器件长时间的正常运行。因此可应用于核工业、航天以及核医疗业此类高辐射环境的极端工作环境。对发展具有抗辐照能力的非易失性铁电存储器及其在航空航天、核工业、医疗业等行业的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108710018B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810521902.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种FM/NM薄膜结构中获得纯净逆自旋霍尔电压的方法，首先利用仿真软件找到一个铁磁薄膜长宽比值a，使得微波感应电流主要被限制在样品的测试方向；测量长宽比值为a的单层铁磁薄膜样品在φH为90°的情况下的自旋整流电压是否低于检测限度，如果低于了检测限度，就按照这个长宽比值a来制作铁磁/非铁磁双层薄膜样品；测量此铁磁/非铁磁双层薄膜样品两端在φH为90°情况下的电压，此电压就是纯净的逆自旋霍尔电压；本发明能够直接精确的获得纯净的逆自旋霍尔电压，只需一步测试过程，大大减小了工作量，避免了多次测量所带来的误差，从精确可靠的逆自旋霍尔电压值中可以提取出更加可靠的自旋相关的重要参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109660031A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910142229.1
申请日：2019-02-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种回收环境微波能量供电的方法及其相关装置，属于能量回收技术领域。本发明提供了一种铁磁薄膜发生自然共振吸收环境微波能量并将其转换为电能实现自主供电的方法，并且提供了一种发电装置，所述发电装置的能量收集模块包括一个或多个能量转换元件，所述能量转换元件包括设置在基片上的铁磁薄膜，所述铁磁薄膜具有强形状各向异性，在无外加偏置磁场的条件下，铁磁薄膜发生自然共振吸收环境中目标频率的微波能量并对其进行转换，宏观上表现为沿铁磁薄膜长边方向的两端产生电压，从而实现供电。本发明无需外界提供能量，便可自发地将环境中的微波能量转换为电能实现供电，该器件结构简单，尺寸小，使用方便，使用环境不受限制，尤其适用于低功耗电子器件。
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公开(公告)号：CN109164400A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810994328.8
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种基于自旋泵浦-逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及探测方法，利用磁控溅射镀膜工艺和光刻工艺在3个SiO2基片上分别制备完全相同的n个串联的条状Py/Ta复合双层薄膜，薄膜的长宽比值在200以上，薄膜内的微波感应电流被限制在薄膜的长边方向；3个基片彼此互相垂直，且3个基片的公共顶点与原点重合；对于每个SiO2基片，都施加一个与薄膜长边垂直且从0开始增大的直流磁场，此磁场增大到某值a后，再从0开始增大到a，此过程一直循环，通过测量3个SiO2基片上串联的条状薄膜两端的电压得到空间微波磁场在x、y、z方向上的分量hx、hy、hz，本发明可以一次性测量空间微波磁场矢量，并且通过串联的方式增大逆自旋霍尔电压信号，大大提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN109100900A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810810074.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明属于半导体器件及非线性光学应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明将用于半导体存储行业的HfO2基铁电材料作为非线性光学材料应用于非线性光学元器件，利用铁电材料具有自发极化特性，并且自发极化可随外电场进行反转并在断电时仍可保持的先天非线性光学性能。还利用所设计的器件金属结构将电场局域在铁电HfO2层，从而得到更强的二次谐波激发，具有优异的CMOS兼容性和突出的可小型化能力，在更广的温度范围内具有更高的稳定性。可应用于电光开光、激光调频、传感检测等领域。对发展具有半导体兼容性且可小型化的光学元器件具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108710018A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810521902.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种FM/NM薄膜结构中获得纯净逆自旋霍尔电压的方法，首先利用仿真软件找到一个铁磁薄膜长宽比值a，使得微波感应电流主要被限制在样品的测试方向；测量长宽比值为a的单层铁磁薄膜样品在φH为90°的情况下的自旋整流电压是否低于检测限度，如果低于了检测限度，就按照这个长宽比值a来制作铁磁/非铁磁双层薄膜样品；测量此铁磁/非铁磁双层薄膜样品两端在φH为90°情况下的电压，此电压就是纯净的逆自旋霍尔电压；本发明能够直接精确的获得纯净的逆自旋霍尔电压，只需一步测试过程，大大减小了工作量，避免了多次测量所带来的误差，从精确可靠的逆自旋霍尔电压值中可以提取出更加可靠的自旋相关的重要参数。
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公开(公告)号：CN108165928A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711415633.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/025 , C23C14/165 , C23C14/352
Abstract: 本发明属于薄膜型声表面波传感器的制造领域，具体涉及一种FeGa合金衬底的AlN薄膜。该FeGa合金衬底的AlN薄膜由从下至上依次堆叠的FeGa合金层、缓冲层和AlN薄膜构成；缓冲层由与FeGa合金层接触的缓冲下层和与AlN薄膜接触的缓冲上层构成，FeGa合金层、缓冲下层、缓冲上层和AlN薄膜的热膨胀系数为依次递减的梯度关系。本发明在FeGa合金层与AlN薄膜之间设置了一层缓冲层，缓冲层的作用是让FeGa合金和AlN材料在热膨胀方面能够匹配。缓冲层的两种材料作为中间缓冲层，能够实现热膨胀阶梯型的变化以解决热适配问题。通过缓冲上层晶格的进一步选择，还可使AlN薄膜质量提升，进而更加符合磁声表面波传感器应用对高质量AlN薄膜的需求。
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